IXTN21N100

Modules with 21 Amps and 100V, designed as discrete semiconductor components with a resistance of 0.55 Ohm
5,793 有效庫存

IXTN21N100

有效庫存5,793

Modules with 21 Amps and 100V, designed as discrete semiconductor components with a resistance of 0.55 Ohm

  • 製造商零件號 # : IXTN21N100

  • 包裝/封裝: SOT-227-4

  • 零件狀態 : Obsolete

  • 製造商: Ixys

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

品質保證

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IXTN21N100 數據表
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詳細說明

Features• International standard packages• JEDECTO-264,epoxymeetUL94V-0 flammability classification• miniBLOC,(ISOTOP-compatible) with Aluminium nitride isolation• Low RDS (on) HDMOSTM process• Rugged polysilicon gate cell structure• Low package inductanceApplications• DC-DC converters• Synchronous rectification• Battery chargers• Switched-mode and resonant-mode power supplies• DC choppers• Temperature and lighting controlsAdvantages• Easy to mount• Space savings• High power density

主要特徵

  • International standard packages
  • JEDECTO-264,epoxymeetUL94V-0 flammability classification
  • miniBLOC,(ISOTOP-compatible) with Aluminium nitride isolation
  • Low RDS (on) HDMOSTM process
  • Rugged polysilicon gate cell structure
  • Low package inductance

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Part Life Cycle Code Obsolete Part Package Code SOT-227
Pin Count ! 4 Reach Compliance Code
ECCN Code EAR99 HTS Code ! 8541.29.00.95
Case Connection ISOLATED Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 1000 V Drain Current-Max (Abs) (ID) 21 A
Drain Current-Max (ID) 21 A Drain-source On Resistance-Max 0.55 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JESD-30 Code R-PUFM-X4
Number of Elements 1 Number of Terminals 4
Operating Mode ! ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max 520 W Power Dissipation-Max (Abs) 520 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 84 A Qualification Status ! Not Qualified
Surface Mount ! NO Terminal Form ! UNSPECIFIED
Terminal Position UPPER Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON Manufacturer IXYS
Product Category ! Discrete Semiconductor Modules RoHS Details
Technology Si Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Mounting Style Chassis Mount Package / Case SOT-227-4
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature ! + 150 C
Series IXTN21N100 Brand IXYS
Fall Time 40 ns Height 9.6 mm
Id - Continuous Drain Current 21 A Length 38.23 mm
Number of Channels 1 Channel Pd - Power Dissipation 520 W
Product Type ! Discrete Semiconductor Modules Rds On - Drain-Source Resistance 550 mOhms
Rise Time ! 50 ns Factory Pack Quantity 10
Subcategory Discrete Semiconductor Modules Transistor Polarity N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 100 ns Typical Turn-On Delay Time 30 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1 kV Width 25.42 mm
Unit Weight 1.058219 oz

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 IXTN21N100 PDF 下載

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