HGTG20N50C1D
N-channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Chip, 500V, 26A, TO-247 PackageHGTG20N50C1D
N-channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Chip, 500V, 26A, TO-247 Package
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製造商零件號 # : HGTG20N50C1D
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包裝/封裝: TO-247-3
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零件狀態 : ACTIVE
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製造商: Harris Corporation
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產品分類 : Single IGBTs
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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例子
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捲帶式
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管或託盤
HGTG20N50C1D 數據表
價格 (USD)
數量 | 單價 | 總價 |
---|---|---|
1 | $20.263 | $20.26 |
200 | $7.842 | $1,568.40 |
500 | $7.566 | $3,783.00 |
1000 | $7.430 | $7,430.00 |
這些價格會受到市場波動的影響,需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
Encased in a TO-247 package, the HGTG20N50C1D delivers excellent thermal performance and is easy to mount in various setups. Thanks to its compact design and durable construction, this MOSFET is a top choice for inverters, motor drives, power supplies, and other high-power scenarios where reliability and performance are non-negotiable. The HGTG20N50C1D stands out as a versatile and reliable solution for engineers seeking to optimize power management systems with advanced technologies and robust components. Its exceptional capabilities make it a standout choice for demanding applications where efficiency and precision are paramount
主要特徵
- Fast switching frequency
- Low loss performance
- High current handling
- Compact design available
應用
- Electric tools
- Field sensors
- UPS systems
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Packaging ! | Bulk | Part Status ! | Active |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 500 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 26 A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 35 A | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 20V, 35A |
Power - Max | 75 W | Input Type | Standard |
Gate Charge ! | 33 nC | Operating Temperature ! | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247 |
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