2N3251
Transistor General Purpose Bipolar Junction Transistor PNP 40 Volts 0.2 Amps 360 Milliwatts 3-Pin TO-18 Package2N3251
Transistor General Purpose Bipolar Junction Transistor PNP 40 Volts 0.2 Amps 360 Milliwatts 3-Pin TO-18 Package
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製造商零件號 # : 2N3251
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包裝/封裝: TO-18
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製造商: CENTRAL
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產品分類 : Single Bipolar Transistors
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運輸與付款
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例子
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2N3251 數據表
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詳細說明
The 2N3251 is a silicon PNP transistor commonly used for general-purpose switching and amplification applications. It is housed in a TO-39 package and features a maximum collector current of 0.7A, a maximum collector-base voltage of 40V, and a maximum power dissipation of 0.5W.The transistor has a low noise figure and high current gain, making it suitable for low-power audio amplifier circuits and small signal amplification. It has a cutoff frequency of 40MHz and typically operates in class AB mode.The 2N3251 has a maximum junction temperature of 200°C and a thermal resistance of 110°C/W, allowing for efficient heat dissipation. It is also designed to withstand high voltages and currents, making it robust and reliable in various electronic applications.
主要特徵
- Medium power NPN silicon transistor
- Low noise figure, high gain
- Designed for general purpose amplifier applications
- Maximum collector-base voltage of 60V
- Maximum collector current of 150mA
- Complementary PNP type is 2N4037
應用
- Amplifiers
- Oscillators
- Switching circuits
- RF applications
- Power control circuits
- Communication systems
- Audio equipment
- Instrumentation
- Radar systems
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Rohs Code | No | Part Life Cycle Code | Obsolete |
Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
HTS Code ! | 8541.29.00.75 | Collector Current-Max (IC) | 0.2 A |
Collector-Base Capacitance-Max | 6 pF | Collector-Emitter Voltage-Max | 40 V |
Configuration | SINGLE | DC Current Gain-Min (hFE) | 30 |
JEDEC-95 Code | TO-206AA | JESD-30 Code | O-MBCY-W3 |
JESD-609 Code | e0 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Operating Temperature-Max | 200 °C |
Package Body Material | METAL | Package Shape | ROUND |
Package Style | CYLINDRICAL | Polarity/Channel Type | PNP |
Power Dissipation Ambient-Max | 1.2 W | Power Dissipation-Max (Abs) | 1.2 W |
Qualification Status ! | Not Qualified | Surface Mount ! | NO |
Terminal Finish | Tin/Lead (Sn/Pb) | Terminal Form ! | WIRE |
Terminal Position | BOTTOM | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON | Transition Frequency-Nom (fT) | 300 MHz |
Turn-off Time-Max (toff) | 250 ns | Turn-on Time-Max (ton) | 70 ns |
VCEsat-Max | 0.5 V |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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