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2N1724A
Product 2N1724A is a type of bipolar transistor, specifically designed for power applications within electronic circuits2N1724A
Product 2N1724A is a type of bipolar transistor, specifically designed for power applications within electronic circuits
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製造商零件號 # : 2N1724A
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包裝/封裝: TO-61
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零件狀態 : Active
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製造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
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產品分類 : Single Bipolar Transistors
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運輸與付款
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例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
2N1724A 數據表
價格 (USD)
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 1 | $887.305 | $887.30 |
| 200 | $354.040 | $70,808.00 |
| 500 | $342.210 | $171,105.00 |
| 1000 | $336.365 | $336,365.00 |
這些價格會受到市場波動的影響，需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
The 2N1724A is a bipolar junction transistor (BJT) that falls under the category of NPN transistors, designed for general-purpose switching and amplification applications. It has a maximum voltage rating of 120V and can handle currents of up to 5A, making it suitable for medium-power electronic circuits. The 2N1724A is housed in a TO-61 package, which is a metal can package with three leads for easy mounting on a circuit board. The metal can package also provides improved heat dissipation, allowing the transistor to operate at higher power levels without overheating. This transistor is characterized by its high voltage and current capabilities, making it ideal for applications where higher power levels are required. It can be used in a wide range of electronic circuits, including audio amplifiers, power supplies, motor controls, and switching circuits. The 2N1724A has a typical gain (hfe) of 40 to 200, which ensures proper amplification of signals in a circuit. It also has a low saturation voltage, ensuring minimal power loss when the transistor is in the ON state.
主要特徵
- Low power, general-purpose NPN transistor
- High current gain (hFE) of 150 to 300
- Low collector-emitter saturation voltage of 0.3V
- Maximum collector current of 0.5A
- Maximum collector-base voltage of 40V
- TO-18 metal can package
- Suitable for switching and amplifier applications
應用
- RF amplification in radio frequency applications
- Signal amplification in communication systems
- Amplification in audio amplifier circuits
- Low power switching applications
- Signal processing in electronic equipment
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors | Mfr | Microchip Technology |
| Series | - | Package | Tray |
| Product Status | Active | Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500mA, 5A | Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 2A, 15V | Power - Max | 3 W |
| Frequency - Transition | - | Operating Temperature ! | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Mounting Type | Stud Mount | Package / Case | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud |
| Supplier Device Package | TO-61 | Base Product Number | 2N1724 |
| Manufacturer | Microchip | Product Category ! | Bipolar Transistors - BJT |
| RoHS | N | Mounting Style | Stud Mount |
| Transistor Polarity | NPN | Configuration | Single |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V | Maximum DC Collector Current | 5 A |
| Minimum Operating Temperature | - 65 C | Maximum Operating Temperature ! | + 200 C |
| Brand | Microchip Technology | Continuous Collector Current | 5 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 30 | DC Current Gain hFE Max | 90 |
| Product Type ! | BJTs - Bipolar Transistors | Factory Pack Quantity | 1 |
| Subcategory | Transistors | Technology | Si |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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