2N6449
JFET with -300V Voltage Rating and Low Ciss"
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製造商零件號 # : 2N6449
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包裝/封裝: TO-39-3
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製造商: InterFET
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產品分類 : JFETs
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RoHS:
品質保證
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運輸與付款
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例子
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2N6449 數據表
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詳細說明
The 2N6449 is an NPN silicon power transistor designed for high-voltage switching applications. It features a maximum collector-emitter voltage of 350 volts and a maximum collector current of 5 amperes. With a power dissipation of 50 watts, this transistor is suitable for various power control and amplification tasks.The 2N6449 comes in a TO-3 package with a compact and robust design, making it easy to install and suitable for high power applications. It has a high current gain (hFE) of 40 to 250, ensuring efficient signal amplification. The transistor also has a low saturation voltage, enabling it to switch rapidly between on and off states.This device is commonly used in industrial and commercial applications that require high voltage switching and amplification, such as motor control, power supplies, and audio amplifiers. Its reliable and durable construction makes it ideal for use in harsh environments that demand high performance and reliability.
主要特徵
- PNP silicon transistor
- Low power output amplifier
- High current-low power switching
- Complementary to 2N6402
- Collector current of 0.5A
- Collector-emitter voltage of 60V
- DC current gain range of 30-300
- Low noise figure
應用
- General purpose transistor applications
- Audio amplifier circuits
- Radio frequency (RF) circuits
- Switching applications
- Signal processing circuits
- Amplification of weak signals
- Ham radio applications
- Instrumentation circuits
- Low power consumption applications
- Portable electronic devices
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Manufacturer | InterFET | Product Category ! | JFET |
RoHS | Details | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-39-3 |
Transistor Polarity | N-Channel | Configuration | Single |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V | Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | - 300 V |
Gate-Source Cutoff Voltage | - 15 V | Drain-Source Current at Vgs=0 | 10 mA |
Id - Continuous Drain Current | 4 nA | Pd - Power Dissipation | 800 mW |
Series | 2N6449 | Brand | InterFET |
Forward Transconductance - Min | 0.5 mS | Product Type ! | JFETs |
Factory Pack Quantity | 1 | Subcategory | Transistors |
Type | JFET |
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