SIHG24N65E-GE3

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MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC

  • 製造商零件號 # : SIHG24N65E-GE3

  • 包裝/封裝: TO-247AC

  • 零件狀態 : Active

  • 製造商: Vishay

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

  • RoHS:

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捲帶式

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管或託盤

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詳細說明

The SIHG24N65E-GE3 is a high-quality Power Field-Effect Transistor designed for efficient power management applications. With a maximum current rating of 24A and a voltage tolerance of 650V, this transistor is capable of handling a wide range of power requirements. The low on-state resistance of 0.145ohm ensures minimal power loss and high efficiency during operation. It is a single-element, N-channel transistor made of Silicon and Metal-oxide Semiconductor material, known for its reliability and performance

主要特徵

  • High-speed switching with low jitter
  • Low latency and fast response time
  • Synchronized clocking and data transfer

應用

  • Advanced lighting technology
  • Energy-saving power supplies
  • Industrial induction heating

規格

以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。

Manufacturer Vishay Product Category ! MOSFET
RoHS Details Technology Si
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-247-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 650 V Id - Continuous Drain Current 24 A
Rds On - Drain-Source Resistance 145 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V Qg - Gate Charge 81 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature ! + 150 C
Pd - Power Dissipation 250 W Channel Mode Enhancement
Series E Brand Vishay / Siliconix
Configuration Single Fall Time 69 ns
Height 20.82 mm Length 15.87 mm
Product Type ! MOSFET Rise Time ! 84 ns
Factory Pack Quantity 500 Subcategory MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time 70 ns Typical Turn-On Delay Time 24 ns
Width 5.31 mm Unit Weight 0.211644 oz

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