SI2310-TP
Transistor for Small Signal Applications
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製造商零件號 # : SI2310-TP
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包裝/封裝: SOT
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製造商: MCC
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
SI2310-TP 數據表
價格 (USD)
數量 | 單價 | 總價 |
---|---|---|
10 | $0.048 | $0.48 |
100 | $0.039 | $3.90 |
300 | $0.034 | $10.20 |
3000 | $0.031 | $93.00 |
6000 | $0.028 | $168.00 |
9000 | $0.027 | $243.00 |
這些價格會受到市場波動的影響,需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
The SI2310-TP MOSFET transistor is specifically designed for low power applications in electronic circuits. With a maximum drain-source voltage of 20V and a continuous drain current of 2.2A, it is well-suited for a wide range of low power tasks. Its low on-resistance of 1.8 ohms ensures efficient power management and minimal power losses in the circuit. The high gate-source voltage of +/-8V provides flexibility in controlling the transistor in various applications. Its compact SOT-23 package is suitable for space-constrained PCB designs, and its small footprint allows for easy mounting on the PCB, making it ideal for portable and miniaturized electronic devices
主要特徵
- Part number: SI2310-TP
- Transistor type: N-Channel MOSFET
- Drain-source voltage: 20V
- Continuous drain current: 5A
- Maximum power dissipation: 1.5W
- Package: TO-236 (SOT-23)
應用
- Low voltage power supplies
- Motor controls
- Portable electronics
- Battery Management Systems (BMS)
- LED lighting
- Solar inverters
- DC-DC converters
- Automotive applications
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Active | Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 60 V | Drain Current-Max (ID) | 3 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.125 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Feedback Cap-Max (Crss) | 19.5 pF | JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
Operating Temperature-Min | -55 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 1.2 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 10 A |
Surface Mount ! | YES | Terminal Finish | MATTE TIN |
Terminal Form ! | GULL WING | Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 10 | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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