FGH40T120SQDNL4
Tube/Rail GBT Transistor 1200V 160A 4-Pin TO-247
品質保證
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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外,我們還保存這些檢查的詳細記錄,以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。
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我們已成功獲得各項認證標準,並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議,以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品,我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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服務與包裝
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在包裝方面,我們的產品均精心包裝在防靜電袋中,以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法,例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
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例子
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捲帶式
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FGH40T120SQDNL4 數據表
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詳細說明
Incorporating advanced technology into its design, FGH40T120SQDNL4 IGBT stands out as a reliable solution for modern power systems, providing consistent performance across a wide range of operating conditions. Its exceptional thermal stability and high-frequency capability make it an ideal choice for high-power applications
主要特徵
- Rugged Construction for Reliability and Durability
- Reduced EMI and RFI Radiation for Quiet Operation
- Fast Turn-On and Turn-Off Time for Smooth Control
- Low Loss, High Efficiency Operation for Energy Savings
- Wide Operating Temperature Range from -40°C to 175°C
- Precise Control and Linear Performance for Reliable Results
應用
- Hybrid power generation
- Emergency power supply
- Renewable energy solution
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Category ! | IGBT Transistors | RoHS | Details |
Technology | Si | Package / Case | TO-247-4 |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.78 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 160 A |
Pd - Power Dissipation | 454 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature ! | + 175 C | Series | FGH40T120SQDNL4 |
Brand | onsemi | Gate-Emitter Leakage Current | 200 nA |
Product Type ! | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 450 |
Subcategory | IGBTs | Unit Weight | 0.324351 oz |
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