BFG135A

BFG135A: An NPN silicon transistor optimized for small signal RF amplification in the L Band, featuring a collector current rating of 0.15A
5,092 有效庫存

BFG135A

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BFG135A: An NPN silicon transistor optimized for small signal RF amplification in the L Band, featuring a collector current rating of 0.15A

  • 製造商零件號 # : BFG135A

  • 包裝/封裝: SOT-223-4

  • 零件狀態 : NRND

  • 製造商: Onsemi

  • 產品分類 : Single Bipolar Transistors

  • RoHS:

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捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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詳細說明

Product BFG135A is a versatile dual NPN Silicon RF transistor that offers high performance in low noise, high-gain amplifier applications within the GHz frequency range. With a maximum frequency of 18 GHz, this transistor is ideal for demanding applications requiring a wide bandwidth. The BFG135A boasts a maximum output power of 1.4W and a maximum collector current of 40mA, ensuring reliable operation under varying load conditions

主要特徵

  • Excellent temperature stability
  • Minimal power consumption
  • Broadband frequency range
  • Integrated fault detection

應用

  • Radio frequency devices
  • Portable communication units
  • Mobile network boosters

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Product Category ! Bipolar Transistors - BJT Transistor Polarity NPN
Configuration Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max 15 V
Collector- Base Voltage VCBO 25 V Emitter- Base Voltage VEBO 2 V
Maximum DC Collector Current 150 mA Pd - Power Dissipation 1 W
Gain Bandwidth Product fT 6 GHz Minimum Operating Temperature - 65 C
Maximum Operating Temperature ! + 150 C Brand onsemi
DC Collector/Base Gain hfe Min 80 at 100 mA, 8 V Product Type ! BJTs - Bipolar Transistors
Subcategory Transistors Technology Si

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