FGH30S150P
Insulated Gate Bipolar Transistor with shorted-anode, 1500 volts, 30 ampsFGH30S150P
Insulated Gate Bipolar Transistor with shorted-anode, 1500 volts, 30 amps
品質保證
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運輸與付款
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例子
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FGH30S150P 數據表
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詳細說明
By incorporating advanced field stop trench and shorted-anode technology, ON Semiconductor introduces the FGH30S150P, a shorted-anode trench IGBT that offers unmatched conduction and switching capabilities for soft switching applications. Its outstanding performance in parallel configurations, coupled with exceptional avalanche capability, positions this device as a standout choice for induction heating and microwave oven systems. Engineered to deliver top-tier performance and reliability, the FGH30S150P underscores ON Semiconductor's dedication to providing cutting-edge semiconductor solutions that cater to the unique requirements of modern industrial applications
主要特徵
- High Power Handling
- Low Saturation Voltage
- Good Thermal Performance
- High Isolation Performance
應用
- Precision motion control
- Smart energy management
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Category ! | IGBT Transistors | RoHS | Details |
Technology | Si | Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.5 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.15 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 25 V, 25 V | Continuous Collector Current at 25 C | 60 A |
Pd - Power Dissipation | 500 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature ! | + 175 C | Series | FGH30S150P |
Brand | onsemi / Fairchild | Continuous Collector Current Ic Max | 30 A |
Gate-Emitter Leakage Current | +/- 500 nA | Product Type ! | IGBT Transistors |
Factory Pack Quantity | 450 | Subcategory | IGBTs |
Unit Weight | 0.225401 oz |
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