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FDS6670AS
The FDS6670AS is designed to replace a single SO-8 MOSFET and Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed toFDS6670AS
The FDS6670AS is designed to replace a single SO-8 MOSFET and Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to
品質保證
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我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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服務與包裝
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在包裝方面，我們的產品均精心包裝在防靜電袋中，以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法，例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
FDS6670AS 數據表
價格 (USD)
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 1 | $0.523 | $0.52 |
| 10 | $0.437 | $4.37 |
| 30 | $0.392 | $11.76 |
| 100 | $0.349 | $34.90 |
| 500 | $0.297 | $148.50 |
| 1000 | $0.282 | $282.00 |
這些價格會受到市場波動的影響，需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
The FDS6670AS is a powerful solution for designers looking to enhance the performance of their synchronous DC:DC power supplies. By replacing a single SO-8 MOSFET and Schottky diode with this innovative component, efficiency and reliability are greatly improved. With a voltage rating of 30V, this MOSFET offers superior power conversion efficiency thanks to its low RDS(ON) and gate charge. The integrated Schottky diode, made possible through ON Semiconductor's advanced SyncFET technology, further enhances the functionality of this component
主要特徵
- Superior reliability and performance
- Fully integrated with advanced features
- Exceptional noise immunity guaranteed
- Rapid switching and high efficiency ensured
- Advanced logic and robust architecture
- Uncompromised quality for demanding apps
應用
- Great for all your needs
- Works in many devices
- Perfect for your project
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Manufacturer | onsemi | Product Category ! | FETs - Single |
| Series | PowerTrench®, SyncFET™ | Packaging ! | Alternate Packaging |
| Part-Aliases | SMD/SMT | Unit-Weight | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting-Style | 8-SO | Package-Case | Single Quad Drain Triple Source |
| Technology | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | Operating-Temperature | 30V |
| Mounting-Type | 13.5A (Ta) | Number-of-Channels | 9 mOhm @ 13.5A, 10V |
| Supplier-Device-Package | 3V @ 1mA | Configuration | 38nC @ 10V |
| FET-Type | 2.5 W | Power-Max | 18 ns |
| Transistor-Type | 13.5 A | VDSS – Drain-Source Voltage | 30 V |
| Input Capacitance ! | 27 ns | FET-Feature | Enhancement |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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