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FDS5680
FDS5680: A high-voltage N-channel MOSFET housed in an SO-8 packageFDS5680
FDS5680: A high-voltage N-channel MOSFET housed in an SO-8 package
品質保證
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我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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服務與包裝
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例子
捲帶式
剪膠帶
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FDS5680 數據表
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詳細說明
Engineered using the latest PowerTrench process, the FDS5680 N-Channel Logic Level MOSFET stands out for its exceptional on-state resistance reduction and impressive switching performance. Tailored for low voltage and battery-powered applications, this MOSFET is the go-to choice for projects that demand efficient power management and quick switching capabilities. Discover the advantages of utilizing the FDS5680 in your next design for unparalleled performance and reliability
主要特徵
- Fault-tolerant and self-healing architecture
- Real-time system monitoring and alerts
- Advanced security and access control features
- Simplified maintenance and upgrade processes
應用
- Smart control features
- High efficiency rating
- Industrial-grade quality
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Pbfree Code | Yes | Part Life Cycle Code | End Of Life |
| Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Additional Feature ! | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 60 V | Drain Current-Max (Abs) (ID) | 8 A |
| Drain Current-Max (ID) | 8 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.02 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Feedback Cap-Max (Crss) | 100 pF |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G8 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 8 | Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 2.5 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 50 A | Qualification Status ! | Not Qualified |
| Surface Mount ! | YES | Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - annealed |
| Terminal Form ! | GULL WING | Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON | Turn-off Time-Max (toff) | 76 ns |
| Turn-on Time-Max (ton) | 40 ns |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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