FDS4953
SO-8 packaged dual P-Channel MOSFET rated for -30V
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FDS4953 數據表
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詳細說明
FDS4953 is a P-channel MOSFET transistor designed for high-speed switching applications in electronic circuits. It has a drain-source voltage rating of 30V and a continuous drain current of 1.1A, making it suitable for a wide range of low to medium power applications. This MOSFET has a low on-resistance of 340mΩ at a gate voltage of -4.5V, providing efficient power handling capabilities.The FDS4953 has a gate threshold voltage of -1.6V to -3.5V, ensuring reliable turn-on and turn-off characteristics in switching operations. Its small package size and low capacitance contribute to the transistor's high-speed performance, making it ideal for applications that require fast switching speeds.This P-channel MOSFET is widely used in power management circuits, battery protection circuits, and load switching applications in various electronic devices. Its high efficiency and excellent thermal performance make it a popular choice for design engineers looking to optimize power consumption and minimize heat dissipation in their designs.
![](/files/uploads/product/b/5be8899b83d7483b90dab3c58b83b1ed.webp)
主要特徵
- Low on-resistance: 0.04 ohms
- Low gate charge: 9 nC
- Low input capacitance: 960 pF
- Enhanced power dissipation: 1.9W
- Ultra-low threshold voltage: 0.7V
- Low drive requirement
應用
- Power management systems
- Battery charging systems
- Portable electronics
- LED lighting
- Solar inverters
- Motor control systems
- Automotive electronics
- Industrial automation systems
- Pulse width modulation (PWM) applications
- Switching voltage regulators
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Active | Part Package Code | SOT |
Pin Count ! | 8 | Reach Compliance Code | |
Additional Feature ! | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 30 V | Drain Current-Max (ID) | 5 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.055 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 Code | R-PDSO-G8 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 2 |
Number of Terminals | 8 | Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | P-CHANNEL | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 20 A |
Qualification Status ! | COMMERCIAL | Surface Mount ! | YES |
Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form ! | GULL WING |
Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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