FDMS86255

N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 150V, 45A, 12.4mΩ
9,889 有效庫存

FDMS86255

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N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 150V, 45A, 12.4mΩ

  • 製造商零件號 # : FDMS86255

  • 包裝/封裝: QFN EP

  • 零件狀態 : ACTIVE

  • 製造商: Onsemi

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

  • RoHS:

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詳細說明

With its powerful performance and high-efficiency design, the FDMS86255 N-channel PowerTrench MOSFET stands out as a top choice for high-current switching applications. Boasting a low on-resistance of just 5.6 mOhm, this MOSFET is optimized for delivering exceptional performance in power management tasks. It can handle continuous drain currents of up to 60A and a maximum drain-source voltage of 30V, making it a versatile solution for a wide range of power management needs. Housed in the Power56 package, the FDMS86255 ensures excellent thermal performance and low thermal resistance, allowing for efficient heat dissipation and enhancing device reliability in high-power scenarios. Additionally, with a low gate charge of 66nC, this MOSFET is well-suited for high-speed switching applications. Its low threshold voltage of 1.9V further enables easy gate control and efficient operation within various power management circuits

主要特徵

  • Enhanced Body Diode Technology for Fast Recovery
  • High-Temperature Operation for Harsh Environments
  • Low Inductance and High-Speed Switching Capability
  • Improved RDS(on) for Increased Efficiency

應用

  • Great for any situation
  • Just what you're looking for

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Series FDMS86255 Product Status Active
FET Type N-Channel Technology Si
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta), 45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4480 pF @ 75 V
Power Dissipation (Max) 2.7W (Ta), 113W (Tc) Operating Temperature ! -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Package / Case Power-56-8 Base Product Number FDMS86
Manufacturer onsemi Product Category ! MOSFET
RoHS Details REACH Details
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 150 V
Id - Continuous Drain Current 45 A Rds On - Drain-Source Resistance 25 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V
Qg - Gate Charge 63 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature ! + 150 C Pd - Power Dissipation 113 W
Channel Mode Enhancement Tradename PowerTrench Power Clip
Brand onsemi / Fairchild Configuration Single
Fall Time 12 ns Height 0.8 mm
Length 3.3 mm Product Type ! MOSFET
Rise Time ! 10 ns Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 45 ns Typical Turn-On Delay Time 34 ns
Width 3.3 mm Unit Weight 0.001993 oz

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