FDME410NZT
N-Channel PowerTrench® MOSFET 20V, 7A, 26mΩ, 5000-REELFDME410NZT
N-Channel PowerTrench® MOSFET 20V, 7A, 26mΩ, 5000-REEL
品質保證
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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外,我們還保存這些檢查的詳細記錄,以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。
認證
我們已成功獲得各項認證標準,並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議,以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品,我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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服務與包裝
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在包裝方面,我們的產品均精心包裝在防靜電袋中,以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法,例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
FDME410NZT 數據表
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詳細說明
The FDME410NZT is a high-performance Single N-Channel MOSFET that features a low on-resistance and is designed for optimal performance at a gate-source voltage of 1.5V. This MOSFET utilizes a Power Trench process to enhance its electrical properties, making it ideal for a wide range of applications where efficiency and reliability are crucial
主要特徵
- SMD package: DFN1.8x1.6
- High power rating: 3W
- Low capacitance: 5pF at 1kHz
應用
- Convenient and easy to use
- Efficient for any job
- Quality product for all
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Pbfree Code | Yes | Part Life Cycle Code | Contact Manufacturer |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature ! | ESD PROTECTION | Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 20 V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 7 A | Drain Current-Max (ID) | 7 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.026 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Feedback Cap-Max (Crss) | 115 pF | JESD-30 Code | S-PDSO-N3 |
JESD-609 Code | e4 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | SQUARE |
Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 2.1 W |
Qualification Status ! | Not Qualified | Surface Mount ! | YES |
Terminal Finish | NICKEL PALLADIUM GOLD | Terminal Form ! | NO LEAD |
Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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