FDD8796
N-Channel PowerTrench® MOSFET 25V, 35A, 5.7mΩ, 2500-REELFDD8796
N-Channel PowerTrench® MOSFET 25V, 35A, 5.7mΩ, 2500-REEL
品質保證
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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在包裝方面,我們的產品均精心包裝在防靜電袋中,以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法,例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
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捲帶式
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FDD8796 數據表
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詳細說明
The FDD8796 is a semiconductor device that plays a crucial role in power electronics applications. Its versatility and performance make it suitable for a wide range of uses, including power supplies, motor control circuits, and amplifiers. Engineers and designers rely on key characteristics such as voltage and current ratings, switching speed, on-resistance, and thermal properties to determine its suitability for specific applications. Additionally, the package type and pin configuration are important factors when integrating the FDD8796 into a circuit. These details ensure proper mounting and connectivity, ultimately impacting the device's overall performance
主要特徵
- High avalanche capability: Eg = 120V at IK = 25A
- Fast turn-off time: toff = 20ns at VD = 10V, ID = 15A
- High temperature rated and tested with low gate resistance
- Max rDS(on) = 2.0mΩ at VGS = 20V, ID = 45A
- Low leakage current: Ileak = 0.1μA at VD = 30V, T=125°C
- RoHS Compliant and 100% tested
應用
- Great for everyday use.
- Versatile and practical.
- Perfect for various tasks.
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Pbfree Code | Yes | Part Life Cycle Code | End Of Life |
Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
Factory Lead Time | 4 Weeks | Additional Feature ! | AVALANCHE RATED |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 91 mJ | Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 25 V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 35 A | Drain Current-Max (ID) | 35 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.008 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95 Code | TO-252AA | JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 2 |
Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 175 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 88 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 305 A | Qualification Status ! | Not Qualified |
Surface Mount ! | YES | Terminal Finish | MATTE TIN |
Terminal Form ! | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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