FDC8602
Dual N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, 100 V, 1.2 A, 350 mΩ, 3000-REELFDC8602
Dual N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, 100 V, 1.2 A, 350 mΩ, 3000-REEL
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
FDC8602 數據表
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詳細說明
GENERAL DESCRIPTIONThe FDC87W21 is an enhanced version of the FDC87W22 --- which integrates the disk drive adapter, serial port (UART), IrDA 1.0 SIR, parallel port, IDE interface, configurable plugand-play registers for the whole chip --- adding powerful features: IrDA 1.1 (MIR for 1.152 Mbps or FIR for 4 Mbps), TV remote IR. In addition to the function enhancement, FDC87W21 is pin-topin compatible to FDC87W22.
主要特徵
- IrDA 1.1 (MIR for 1.152 Mbps or FIR for 4 Mbps), TV remote IR. In addition to the function enhancement, FDC87W21 is pin-topin compatible to FDC87W22.
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Pbfree Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
Factory Lead Time | 4 Weeks | Additional Feature ! | ULTRA-LOW RESISTANCE |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 100 V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 1.2 A | Drain Current-Max (ID) | 1.2 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.35 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Feedback Cap-Max (Crss) | 5 pF | JEDEC-95 Code | MO-193AA |
JESD-30 Code | R-PDSO-G6 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 2 |
Number of Terminals | 6 | Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.96 W | Surface Mount ! | YES |
Terminal Finish | TIN | Terminal Form ! | GULL WING |
Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
Manufacturer | onsemi | Product Category ! | MOSFET |
RoHS | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SSOT-6 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 2 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V | Id - Continuous Drain Current | 1.2 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 350 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V | Qg - Gate Charge | 2 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature ! | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 690 mW | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | PowerTrench | Series | FDC8602 |
Brand | onsemi / Fairchild | Height | 1.1 mm |
Length | 2.9 mm | Product Type ! | MOSFET |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 2 N-Channel | Width | 1.6 mm |
Unit Weight | 0.001270 oz |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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