FDC855N
N-Channel, PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 6.1A, 27mΩ, 3000-REELFDC855N
N-Channel, PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 6.1A, 27mΩ, 3000-REEL
品質保證
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我們已成功獲得各項認證標準,並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議,以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品,我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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服務與包裝
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在包裝方面,我們的產品均精心包裝在防靜電袋中,以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法,例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
FDC855N 數據表
價格 (USD)
數量 | 單價 | 總價 |
---|---|---|
1 | $0.380 | $0.38 |
10 | $0.288 | $2.88 |
30 | $0.243 | $7.29 |
100 | $0.197 | $19.70 |
500 | $0.170 | $85.00 |
1000 | $0.155 | $155.00 |
這些價格會受到市場波動的影響,需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
The FDC855N N-Channel Logic Level MOSFET is the perfect choice for low voltage and battery powered applications. With its advanced PowerTrench® process, this MOSFET offers minimal on-state resistance, making it highly efficient in optimizing power consumption. Whether it's for handheld devices, consumer electronics, or other battery-powered applications, the FDC855N is an ideal solution for minimizing in-line power loss
主要特徵
- Compact design, high power
- Efficient performance, reliable operation
- Low noise, high precision control
- Slim profile, minimal space required
- Fast switching, low current loss
- High frequency, wide range performance
應用
- This versatile product is a must-have!
- Use it in countless situations.
- The ideal option for multiple tasks.
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Pbfree Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
Factory Lead Time | 4 Weeks | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 30 V | Drain Current-Max (Abs) (ID) | 6.1 A |
Drain Current-Max (ID) | 6.1 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.027 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Feedback Cap-Max (Crss) | 95 pF |
JEDEC-95 Code | MO-193AA | JESD-30 Code | R-PDSO-G6 |
JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 6 |
Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 1.6 W |
Qualification Status ! | Not Qualified | Surface Mount ! | YES |
Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form ! | GULL WING |
Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
Manufacturer | onsemi | Product Category ! | MOSFET |
RoHS | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SSOT-6 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V | Id - Continuous Drain Current | 6.1 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 27 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V | Qg - Gate Charge | 13 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature ! | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 1.6 W | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | PowerTrench | Series | FDC855N |
Brand | onsemi / Fairchild | Fall Time | 2 ns |
Height | 1.1 mm | Length | 2.9 mm |
Product | MOSFET Small Signal | Product Type ! | MOSFET |
Rise Time ! | 2 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 14 ns | Typical Turn-On Delay Time | 6 ns |
Width | 1.6 mm | Unit Weight | 0.001270 oz |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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