FDB8870
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
品質保證
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認證
我們已成功獲得各項認證標準,並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議,以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品,我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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服務與包裝
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在包裝方面,我們的產品均精心包裝在防靜電袋中,以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法,例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
FDB8870 數據表
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詳細說明
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed.
主要特徵
- rDS(ON) = 3.9mΩ @ VGS = 10V, I=35A
- rDS(ON) = 4.4mΩ @ VGS = 4.5V, I=35A
- High performance trench technology for extremely lowrDS(ON)
- Low gate charge
- High power and current handling capability
應用
- This product is general usage and suitable for many different applications.
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Manufacturer | onsemi | Product Category ! | MOSFET |
RoHS | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SC-70-3 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V | Id - Continuous Drain Current | 160 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 3.9 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V | Qg - Gate Charge | 132 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature ! | + 175 C |
Pd - Power Dissipation | 160 W | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | PowerTrench | Series | FDB8870 |
Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Single |
Fall Time | 47 ns | Height | 4.83 mm |
Length | 10.67 mm | Product Type ! | MOSFET |
Rise Time ! | 98 ns | Factory Pack Quantity | 800 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 75 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 10 ns | Width | 9.65 mm |
Part # Aliases | FDB8870_NL | Unit Weight | 0.139332 oz |
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