E3M0021120K

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1200V 21mohm MOSFET SiC Automotive Gen 3 TO-247-4

  • 製造商零件號 # : E3M0021120K

  • 包裝/封裝: TO-247-4

  • 零件狀態 : ACTIVE

  • 製造商: Wolfspeed, Inc.

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

  • RoHS:

品質保證

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運輸與付款

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捲帶式

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管或託盤

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詳細說明

The E3M0021120K is a high-power N-Channel MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) designed for high voltage and high current applications. With a maximum voltage rating of 1200 volts and a continuous drain current of 104 amperes, this component is suitable for demanding power electronics projects. The power dissipation of the E3M0021120K is rated at 405 watts, allowing it to efficiently handle large amounts of power without overheating. The transistor is housed in a TO-247-4L package, a popular choice for high power discrete semiconductors due to its thermal performance and ease of mounting. The package is through-hole, making it suitable for applications where robust mechanical connections are required.

主要特徵

  • Part number: E3M0021120K
  • Manufacturer: Generic
  • RoHS-compliant
  • Resistance value: 120 ohms
  • Power rating: 2 watts
  • Tolerance: ±10%

應用

  • Machine learning
  • Artificial intelligence
  • Robotics
  • Data analysis
  • Image processing
  • Security systems
  • Automotive applications
  • Industrial automation
  • Internet of Things (IoT)
  • Medical devices

規格

以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。

Series E Package Tube
Product Status Active FET Type N-Channel
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 104A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28.8mOhm @ 62.1A, 15V Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 17.1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 177 nC @ 15 V Vgs (Max) +19V, -8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 1000 V Power Dissipation (Max) 405W (Tc)
Operating Temperature ! -55°C ~ 175°C (TJ) Grade Automotive
Qualification AEC-Q101 Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247-4L Package / Case TO-247-4

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