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NTE392
TO-218 Plastic/Epoxy NPN Power Bipolar Transistor: NTE392
NTE392
TO-218 Plastic/Epoxy NPN Power Bipolar Transistor: NTE392
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製造商零件號 # : NTE392
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包裝/封裝: TO-218
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製造商: NTE
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產品分類 : Single Bipolar Transistors
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運輸與付款
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NTE392 數據表
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詳細說明
The NTE392 is a high-powered NPN silicon transistor designed for use in various electronic applications where high voltage and high current capabilities are required. This transistor has a maximum voltage rating of 100 volts and a maximum current handling capacity of 25 amperes, making it suitable for power switching, linear amplification, and other high-power applications. The package type for the NTE392 is a TO-3PN, which is a through-hole package that provides excellent heat dissipation capabilities, allowing the transistor to operate at higher power levels without overheating. This package also makes it easy to mount the transistor onto a suitable heat sink for further thermal management. The NTE392 features a high gain and low saturation voltage, ensuring efficient and reliable performance in various circuit configurations. It also has a fast switching speed, which is beneficial for applications requiring rapid switching between on and off states.
主要特徵
- NTE392 is a silicon NPN transistor designed for general purpose amplifier and switching applications.
- It has a collector current of 700mA, collector-emitter voltage of 80V, and a power dissipation of 625mW.
- This transistor has a hfe (forward current transfer ratio) of 100 to 300, making it suitable for low power applications.
應用
- Temperature measurement in industrial and automotive applications
- Monitoring and control systems
- Medical devices
- Home appliances
- Fluid level detection
- Thermal management systems
- Energy management systems
- Environmental monitoring
- HVAC systems
- Robotics
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
| HTS Code ! | 8541.29.00.95 | Case Connection | COLLECTOR |
| Collector Current-Max (IC) | 25 A | Collector-Emitter Voltage-Max | 100 V |
| Configuration | SINGLE | DC Current Gain-Min (hFE) | 15 |
| JEDEC-95 Code | TO-218 | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | FLANGE MOUNT | Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
| Polarity/Channel Type | NPN | Power Dissipation Ambient-Max | 125 W |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 125 W | Qualification Status ! | Not Qualified |
| Surface Mount ! | NO | Terminal Form ! | THROUGH-HOLE |
| Terminal Position | SINGLE | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
| Transition Frequency-Nom (fT) | 3 MHz |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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