NTE2973
Silicon Metal-oxide Semiconductor FET, 1-Element, 14A I(D), 900VNTE2973
Silicon Metal-oxide Semiconductor FET, 1-Element, 14A I(D), 900V
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製造商零件號 # : NTE2973
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包裝/封裝: TO-3P
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零件狀態 : ACTIVE
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製造商: NTE
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
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RoHS:
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例子
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NTE2973 數據表
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詳細說明
The NTE2973 is an N-channel power MOSFET transistor designed for high-voltage applications. It has a maximum voltage rating of 900V and a continuous drain current of 14A when operating at a case temperature of 25°C. The power dissipation of this component is 275W when operating at the same temperature. The NTE2973 comes in a TO-3P package, which is a through-hole package with three leads for easy mounting on a PCB. This package type offers good thermal conductivity, allowing for efficient heat dissipation during operation. In terms of specifications, the NTE2973 has a low on-resistance, which ensures minimal power loss and high efficiency in switching applications. It also has a fast switching speed, making it suitable for high-frequency applications. Additionally, the NTE2973 has a low gate charge, reducing the drive requirements and improving overall performance.
主要特徵
- High breakdown voltage: 60V
- Low collector-emitter saturation voltage: 0.3V
- Low collector cutoff current: 100nA
- DC current gain hFE: 30−240
- 1A continuous collector current capability
- Low noise and distortion
- Fast switching speeds
- TO-220 package
應用
- Power management systems
- Industrial control systems
- Automotive electronics
- Medical equipment
- Telecommunication systems
- Data communication systems
- Consumer electronics
- Instrumentation
- Sensor systems
- Networking equipment
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 900 V |
Drain Current-Max (ID) | 14 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.85 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | FLANGE MOUNT |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 42 A | Qualification Status ! | Not Qualified |
Surface Mount ! | NO | Terminal Form ! | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | SINGLE | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
Package | Bag | Product Status | Active |
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 7A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | Vgs (Max) | ±30V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 25 V | Power Dissipation (Max) | 275W (Tc) |
Operating Temperature ! | -55°C ~ 150°C | Mounting Type | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-3P | Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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