FS75R12KE3_B3
100A I(C) N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor Module-34, 1200V V(BR)CESFS75R12KE3_B3
100A I(C) N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor Module-34, 1200V V(BR)CES
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製造商零件號 # : FS75R12KE3_B3
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包裝/封裝: Econo 3
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零件狀態 : OBSOLETE
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製造商: Infineon
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產品分類 : IGBT Modules
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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詳細說明
Infineon Technologies has raised the bar with the FS75R12KE3_B3, delivering a high-power IGBT module that combines cutting-edge technology with robust safety features. With its impressive voltage and current ratings, low thermal resistance, and multiple built-in protections, this module sets a new standard for reliability and performance in the industrial sector
主要特徵
- Ruggedized for harsh industrial environments
- Silicon-based substrate with low leakage current
- Wide operating temperature range
- RoHS compliant for eco-friendliness
- Designed for use in power supplies and motor drives
應用
- Environmental initiatives
- Efficient power usage
- Renewable energy options
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Package | Bulk | Product Status | Obsolete |
IGBT Type | NPT | Configuration | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
Power - Max | 355 W | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 75A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA | Input Capacitance (Cies) @ Vce | 5.3 nF @ 25 V |
Input | Standard | NTC Thermistor ! | Yes |
Operating Temperature ! | 150°C (TJ) | Mounting Type | Chassis Mount |
Package / Case | Module | Supplier Device Package | Module |
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