2SK447
24 ohm Si power MOSFET 15A 250V
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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在包裝方面,我們的產品均精心包裝在防靜電袋中,以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法,例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
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捲帶式
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2SK447 數據表
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詳細說明
The 2SK447 is a silicon N-channel junction field-effect transistor (JFET) that is designed for low frequency amplification and switching applications. It is commonly used in audio amplifier circuits, voltage-controlled switches, and differential amplifiers.The 2SK447 has a maximum drain-source voltage (VDS) of 50V and a maximum continuous drain current (ID) of 10mA. It features a low input capacitance and high input impedance, making it suitable for high-gain amplification and low-noise applications.The transistor has a small signal voltage gain (Av) of approximately 20 to 50, with a low cutoff frequency (fT) of around 10MHz. It has a low on-resistance (RDS(on)) of 20 ohms, ensuring minimal power dissipation and high efficiency.The 2SK447 is housed in a TO-92 package, which provides easy mounting and heat dissipation. It has three terminals - gate (G), drain (D), and source (S) - for connection to external circuits.
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主要特徵
- High breakdown voltage (700V)
- Low on-resistance (4 ohms)
- Low input capacitance (200pF)
- Low leakage current (1µA)
- High switching speed
- Low noise operation
應用
- Audio amplifier circuits
- Stereo systems
- Signal processing circuits
- Switching circuits
- Power suppliers
- Industrial equipment
- Instrumentation
- Motor control systems
- Data acquisition systems
- Telecommunication systems
![TOSHIBA Inventory TOSHIBA Inventory](/files/uploads/inventory/toshiba/toshiba.jpg)
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Rohs Code | No | Part Life Cycle Code | Obsolete |
Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
HTS Code ! | 8541.29.00.95 | Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 250 V |
Drain Current-Max (ID) | 15 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.24 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | FLANGE MOUNT |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 240 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation Ambient-Max | 150 W | Qualification Status ! | Not Qualified |
Surface Mount ! | NO | Terminal Form ! | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | SINGLE | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
推薦零件
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N-channel small signal MOSFET with 2000 mA and 60 V
製造商: Toshiba America Electronic Components 包裝/箱: SOT-89
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