2SK1113
Silicon N-Channel Power MOSFET
品質保證
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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外,我們還保存這些檢查的詳細記錄,以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。
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我們已成功獲得各項認證標準,並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議,以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品,我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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服務與包裝
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在包裝方面,我們的產品均精心包裝在防靜電袋中,以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法,例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
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例子
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捲帶式
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2SK1113 數據表
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詳細說明
The 2SK1113 is a power MOSFET transistor designed for high-speed switching applications. It features a maximum drain-source voltage of 500V and a continuous drain current of 6A. The transistor has a low on-state resistance, typically ranging from 1.5 to 2.2 ohms, which allows for efficient conduction of current. The 2SK1113 is housed in a TO-220 package, which provides good thermal conductivity and allows for easy mounting on a heatsink for temperature control. The transistor has a gate-source threshold voltage of 2 to 4V, making it suitable for use in a variety of circuits that require precise control of switching operations.
主要特徵
- N-channel MOSFET transistor
- High voltage, high speed switching
- Low on-resistance
- Low input capacitance
- Enhanced avalanche ruggedness
- TO-220F package
- Designed for use in power amplifier and switching applications
- Excellent thermal stability
- High reliability
- Low leakage current
應用
- High frequency power amplifiers for professional audio applications
- RF power amplifiers for mobile communication systems
- Electric vehicles and hybrid electric vehicles
- Medical devices such as MRI machines
- Industrial control systems and automation
- Solar power inverters
- UPS systems and power supplies
- Broadcast transmitters and receivers
- Military radar systems
- Satellite communication systems
![TOSHIBA Inventory TOSHIBA Inventory](/files/uploads/inventory/toshiba/toshiba.jpg)
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Part Life Cycle Code | Obsolete | Reach Compliance Code | |
ECCN Code | EAR99 | HTS Code ! | 8541.29.00.95 |
Additional Feature ! | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE | DS Breakdown Voltage-Min | 120 V |
Drain Current-Max (ID) | 3 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.6 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PSIP-T3 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | IN-LINE |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation Ambient-Max | 20 W |
Qualification Status ! | Not Qualified | Surface Mount ! | NO |
Terminal Form ! | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
推薦零件
-
N-channel small signal MOSFET with 2000 mA and 60 V
製造商: Toshiba America Electronic Components 包裝/箱: SOT-89
5,436 有存貨
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