2SK3131
MOSFET 3PL PLN ACTIVE PHASE-OUT
品質保證
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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外,我們還保存這些檢查的詳細記錄,以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。
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認證
我們已成功獲得各項認證標準,並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議,以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品,我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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服務與包裝
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關於包裝
在包裝方面,我們的產品均精心包裝在防靜電袋中,以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法,例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
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例子
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捲帶式
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剪膠帶
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2SK3131 數據表
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詳細說明
The 2SK3131 is a Power MOSFET transistor designed for use in switching applications. It is a N-channel device with a maximum drain-source voltage rating of 600V and a continuous drain current rating of 8A. The transistor features a low on-resistance of 1.5 ohms and a low gate charge of 13nC, allowing for efficient switching and minimal power loss.The 2SK3131 is housed in a TO-220 package, which provides good thermal performance and easy mounting on a heatsink. The device is designed to operate in high-speed switching applications, such as power supplies, motor drives, and lighting control.The 2SK3131 has a gate threshold voltage of 4V, making it compatible with standard drive circuits. It has a rugged design that can withstand high voltage and current stresses, ensuring reliable operation in demanding environments.
主要特徵
- N-channel MOSFET
- 500V drain-source voltage
- 50A drain current
- 1.8 ohm on-state resistance
- Low noise and high speed switching
- Enhanced thermal performance
應用
- Switching circuits in various electronic devices
- Power amplifiers in audio systems
- High-frequency applications such as RF amplifiers
- Battery charging circuits
- Voltage regulators
- Motor control circuits
- Inverters and power supplies
- Industrial control systems
- Automotive electronics
- Telecommunication equipment
![TOSHIBA Inventory TOSHIBA Inventory](/files/uploads/inventory/toshiba/toshiba.jpg)
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Rohs Code | No | Part Life Cycle Code | Obsolete |
Pin Count ! | 3 | Reach Compliance Code | |
ECCN Code | EAR99 | Avalanche Energy Rating (Eas) | 525 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 500 V | Drain Current-Max (Abs) (ID) | 50 A |
Drain Current-Max (ID) | 50 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.11 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | FLANGE MOUNT | Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 250 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 200 A | Qualification Status ! | Not Qualified |
Surface Mount ! | NO | Terminal Form ! | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | SINGLE | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
推薦零件
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N-channel small signal MOSFET with 2000 mA and 60 V
製造商: Toshiba America Electronic Components 包裝/箱: SOT-89
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