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2N7002E
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
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製造商零件號 # : 2N7002E
-
包裝/封裝: SOT-23
-
製造商: VISHAY SILICONIX
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
品質保證
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例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
2N7002E 數據表
價格 (USD)
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 20 | $0.021 | $0.42 |
| 200 | $0.017 | $3.40 |
| 600 | $0.016 | $9.60 |
| 3000 | $0.014 | $42.00 |
| 9000 | $0.013 | $117.00 |
| 21000 | $0.012 | $252.00 |
這些價格會受到市場波動的影響，需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
The 2N7002E is an N-channel MOSFET designed for small-signal applications and low-voltage electronic switching. It is commonly used in various electronic circuits for signal amplification and switching purposes.
主要特徵
- N-Channel Enhancement Mode: The 2N7002E operates in the enhancement mode, meaning it enhances the conductivity of the channel when a positive voltage is applied to the gate.
- Low Threshold Voltage: The MOSFET has a low threshold voltage, making it suitable for low-voltage electronic applications.
- Small Signal Amplification: Commonly used for small-signal amplification and switching in various electronic circuits.
- Low On-Resistance: While designed for small-signal applications, the 2N7002E still provides low on-resistance for efficient switching.
- Compact SOT-23 Package: Typically available in a compact SOT-23 package, making it suitable for space-constrained designs.
應用
-
Switching Circuits: Used in electronic switching circuits for its small-signal characteristics and low threshold voltage.
-
Signal Amplification: Commonly employed for small-signal amplification in audio and communication circuits.
-
Low-Voltage Applications: Suitable for low-voltage applications where a compact and efficient N-channel MOSFET is required.
-
Portable Devices: Found in various portable electronic devices due to its small size and low-voltage capabilities.
Equivalent Parts
- 2N7002
- 2N7002LT1G
Replaceable Parts
- BS170
- NDS7002A
- DMN7002LW
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Product Name | 2N7002E | Product Type ! | N-Channel MOSFET |
| Manufacturer | ON Semiconductor | Drain-Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Continuous Drain Current (Id) | 115mA | Gate-Source Voltage (Vgs) | ±20V |
| Threshold Voltage (Vgs, th) | 1V to 2V | On-State Resistance (Rds(on)) | 5 ohms |
| Power Dissipation (Pd) | 360mW | Operating Temperature Range ! | -55°C to +150°C |
| Package / Case | SOT-23 |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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