2N3507
Product Description for 2N3507: Bipolar Transistors - BJT Power BJT2N3507
Product Description for 2N3507: Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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製造商零件號 # : 2N3507
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包裝/封裝: TO-39-3
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製造商: Microchip
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產品分類 : Single Bipolar Transistors
品質保證
品質保證
從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外,我們還保存這些檢查的詳細記錄,以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。
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運輸與付款
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服務與包裝
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在包裝方面,我們的產品均精心包裝在防靜電袋中,以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法,例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
2N3507 數據表
價格 (USD)
數量 | 單價 | 總價 |
---|---|---|
1 | $65.808 | $65.81 |
200 | $26.258 | $5,251.60 |
500 | $25.381 | $12,690.50 |
1000 | $24.947 | $24,947.00 |
這些價格會受到市場波動的影響,需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
The 2N3507 is a highly versatile silicon NPN bipolar junction transistor that is widely used in both switching and amplification applications. With a maximum collector current (Ic) rating of 800mA and a maximum collector-emitter voltage (Vce) rating of 30V, this transistor offers reliable performance in various electronic circuits
主要特徵
- Pulse-width modulator with high accuracy
- Low power consumption and low noise figure
- Suitable for medical equipment and instrumentation
應用
- Audio amplifier
- Power regulators
- Industrial devices
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Category ! | Bipolar Transistors - BJT | RoHS | N |
Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-39-3 |
Transistor Polarity | NPN | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V | Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 500 mV |
Maximum DC Collector Current | 3 A | Pd - Power Dissipation | 1 W |
Minimum Operating Temperature | - 65 C | Maximum Operating Temperature ! | + 200 C |
Brand | Microchip Technology | DC Collector/Base Gain hfe Min | 35 at 500 mA, 1 V |
DC Current Gain hFE Max | 175 at 500 mA, 1 V | Product Type ! | BJTs - Bipolar Transistors |
Factory Pack Quantity | 1 | Subcategory | Transistors |
Technology | Si |
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