VS-GA200SA60UP
These are IGBT transistors characterized by their N-channel configurationVS-GA200SA60UP
These are IGBT transistors characterized by their N-channel configuration
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製造商零件號 # : VS-GA200SA60UP
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包裝/封裝: SOT227-4
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零件狀態 : Obsolete
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製造商: Vishay
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產品分類 : IGBT Modules
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RoHS:
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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例子
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VS-GA200SA60UP 數據表
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詳細說明
This N-channel IGBT has a low collector-emitter saturation voltage of 1.6V, minimizing power loss and improving overall efficiency. The device operates within a wide temperature range, from -55°C to +150°C, making it suitable for use in diverse environments. With a fall time of 460ns and a rise time of 75ns, the VS-GA200SA60UP offers fast switching speeds, enabling rapid response in demanding applications
主要特徵
- Gen 4 IGBT technology
- Standard: optimized for hard switching speed
- Very low conduction losses
- Industry standard package
- UL approved file E78996
- Designed and qualified for industrial level
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Category ! | IGBT Transistors | RoHS | Details |
Technology | Si | Package / Case | SOT-227-4 |
Mounting Style | SMD/SMT | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature ! | + 150 C |
Brand | Vishay Semiconductors | Continuous Collector Current Ic Max | 200 A |
Height | 12.3 mm | Length | 38.3 mm |
Product Type ! | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 10 |
Subcategory | IGBTs | Width | 25.7 mm |
Part # Aliases | GA200SA60UP | Unit Weight | 1.058219 oz |
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