STD1NK80Z-1
The STD1NK80Z-1 is a high-voltage N-channel MOSFET rated for 800V and 1A, packaged in IPAK for easy installation and useSTD1NK80Z-1
The STD1NK80Z-1 is a high-voltage N-channel MOSFET rated for 800V and 1A, packaged in IPAK for easy installation and use
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製造商零件號 # : STD1NK80Z-1
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包裝/封裝: TO-251-3
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零件狀態 : Obsolete
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製造商: STMicroelectronics
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
品質保證
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STD1NK80Z-1 數據表
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詳細說明
The STD1NK80Z-1 MOSFET transistor stands out as a stellar performer in demanding conditions, thanks to its ability to withstand high operating temperatures. Additionally, it comes equipped with built-in protection features like overcurrent and overtemperature protection, ensuring the safety and longevity of the device. Its robust design and exceptional performance make it a go-to choice for engineers looking to drive innovation and efficiency in their projects
主要特徵
- 800V drain-source voltage rating
- 1.1 ohm on-resistance
- Fast switching speed
- Low gate charge
- Enhanced avalanche energy capability
- Packaged in DPAK for surface mount applications
- Designed for use in power supplies, motor control, and lighting applications
- RoHS compliant
應用
- Switch mode power supplies
- Lighting ballast control
- Motor control
- AC-DC adapters
- Electronic ballast control
- Industrial automation
- Consumer electronics
- LED drivers
- Solar inverters
- Microinverters
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Obsolete | Part Package Code | TO-251AA |
Pin Count ! | 3 | Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN Code | EAR99 | Avalanche Energy Rating (Eas) | 50 mJ |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 800 V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 1 A | Drain Current-Max (ID) | 1 A |
Drain-source On Resistance-Max | 16 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Feedback Cap-Max (Crss) | 6.7 pF | JEDEC-95 Code | TO-251 |
JESD-30 Code | R-PSIP-T3 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | IN-LINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 45 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 5 A | Qualification Status ! | Not Qualified |
Surface Mount ! | NO | Terminal Finish | Matte Tin (Sn) |
Terminal Form ! | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON | Manufacturer | STMicroelectronics |
Product Category ! | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-251-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
Id - Continuous Drain Current | 1 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 16 Ohms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.75 V |
Qg - Gate Charge | 7.7 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature ! | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 45 W |
Channel Mode | Enhancement | Series | STQ1NK80ZR-AP |
Brand | STMicroelectronics | Fall Time | 55 ns |
Forward Transconductance - Min | 0.8 S | Height | 6.2 mm |
Length | 6.6 mm | Product Type ! | MOSFET |
Rise Time ! | 30 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 22 ns | Typical Turn-On Delay Time | 8 ns |
Width | 2.4 mm | Unit Weight | 0.011993 oz |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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