SIR626LDP-T1-RE3

N-Channel 60V 186A 104W Surface Mount Power MOSFET
7,956 有效庫存

SIR626LDP-T1-RE3

有效庫存7,956

N-Channel 60V 186A 104W Surface Mount Power MOSFET

  • 製造商零件號 # : SIR626LDP-T1-RE3

  • 包裝/封裝: POWERPAK-8

  • 製造商: Siliconix

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

品質保證

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SIR626LDP-T1-RE3 數據表
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詳細說明

SIR626LDP-T1-RE3

主要特徵

  • Sophisticated power electronics
  • Precise control capabilities
  • Robust operation under stress
  • Exceptional efficiency ratings

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Product Category ! MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case PowerPAK-SO-8
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V Id - Continuous Drain Current 186 A
Rds On - Drain-Source Resistance 1.5 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V Qg - Gate Charge 135 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature ! + 150 C
Pd - Power Dissipation 104 W Channel Mode Enhancement
Tradename TrenchFET, PowerPAK Series SIR
Brand Vishay / Siliconix Configuration Single
Fall Time 10 ns Forward Transconductance - Min 140 S
Product Type ! MOSFET Rise Time ! 64 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 45 ns
Typical Turn-On Delay Time 17 ns Unit Weight 0.017870 oz

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 SIR626LDP-T1-RE3 PDF 下載

常見問題解答

What is SIR626LDP-T1-RE3?

The SIR626LDP-T1-RE3 is a 20 V P-Channel MOSFET designed by Vishay Siliconix. It is ideal for use in power management, battery protection, and load switching applications.

How Does SIR626LDP-T1-RE3 Work?

The SIR626LDP-T1-RE3 operates as a P-Channel MOSFET, allowing it to control the flow of current in a circuit. When a negative voltage is applied to the gate terminal, the MOSFET conducts current, enabling power management and control functions.

How Many Pins does SIR626LDP-T1-RE3 have and What are the Functions of the Pinout Configuration?

The SIR626LDP-T1-RE3 is housed in a PowerPAK SO-8 package. The pinout configuration includes:

  • GATE: Gate control pin.
  • SOURCE: Source terminal.
  • DRAIN: Drain terminal.
  • NC: No-connect pin.
  • NC: No-connect pin.
  • SOURCE: Source terminal.
  • DRAIN: Drain terminal.

What are the Pros and Cons of SIR626LDP-T1-RE3?

Pros:

  • High Voltage Rating: With a 20V rating, it is suitable for a wide range of applications.
  • Low On-Resistance: Efficiently conducts current with minimal voltage drop.
  • Compact Package: The PowerPAK SO-8 package offers a space-efficient design.
  • P-Channel MOSFET: Can be used in applications that require a P-Channel device.

Cons:

  • Not Suitable for High Current: May not be suitable for high-current applications due to its specific voltage and current ratings.
  • Gate Drive Consideration: Requires careful consideration of gate drive voltage and timing for optimal performance.

Are There Any Equivalents/Alternatives to SIR626LDP-T1-RE3 for Recommendation?

  • The SUP75P03 from Vishay Siliconix is a similar P-Channel MOSFET with comparable specifications.
  • Alternatives to the SIR626LDP-T1-RE3 include the SI7469DP-T1-GE3 from Vishay Siliconix and the AO3400A from Alpha & Omega Semiconductor.

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