SI4431DY-T1
SOIC 8-Pin N-Channel Transistor MOSFET, 30V P-Channel, 5.8ASI4431DY-T1
SOIC 8-Pin N-Channel Transistor MOSFET, 30V P-Channel, 5.8A
品質保證
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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外,我們還保存這些檢查的詳細記錄,以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。
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我們已成功獲得各項認證標準,並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議,以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品,我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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服務與包裝
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在包裝方面,我們的產品均精心包裝在防靜電袋中,以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法,例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
SI4431DY-T1 數據表
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詳細說明
General Description This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance.Features • –6.3 A, –30 V. RDS(ON)= 0.032 Ω @ VGS= -10 V RDS(ON)= 0.05 Ω @ VGS= -4.5 V •Low gate charge •Fast switching speed • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) • High power and current handling capabilityApplications •DC/DC converter •Load switch •Motor Drive
主要特徵
- –6.3 A, –30 V. RDS(ON)= 0.032 Ω @ VGS= -10 V
- RDS(ON)= 0.05 Ω @ VGS= -4.5 V
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
- High power and current handling capability
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Manufacturer | VISHAY | Product Category ! | IC Chips |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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