SI4126DY-T1-GE3
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
品質保證
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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外,我們還保存這些檢查的詳細記錄,以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。
認證
我們已成功獲得各項認證標準,並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議,以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品,我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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服務與包裝
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在包裝方面,我們的產品均精心包裝在防靜電袋中,以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法,例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
SI4126DY-T1-GE3 數據表
價格 (USD)
數量 | 單價 | 總價 |
---|---|---|
1 | $1.340 | $1.34 |
10 | $1.148 | $11.48 |
30 | $1.042 | $31.26 |
100 | $0.922 | $92.20 |
500 | $0.869 | $434.50 |
1000 | $0.846 | $846.00 |
這些價格會受到市場波動的影響,需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
Designed for high-performance applications, the SI4126DY-T1-GE3 is a MOSFET transistor with a continuous drain current rating of 39A and a drain-source voltage of 30V. Its low on-resistance of 0.0034ohm and threshold voltage of 2.5V provide efficient conductivity and precise control in power electronics circuits. With a power dissipation rating of 3.5W, this transistor can handle moderate power levels while maintaining reliable performance. It is also RoHS compliant, meeting environmental standards for restricted substances. The SI4126DY-T1-GE3 is a versatile and reliable option for designers seeking a high-performance MOSFET transistor that balances efficiency, power handling capability, and environmental compliance
主要特徵
- Efficient heat dissipation
- Low voltage drop
- High current handling
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Manufacturer | VISHAY | Product Category ! | FETs - Single |
Packaging ! | Reel | Part-Aliases | SMD/SMT |
Unit-Weight | 1 Channel | Mounting-Style | 3.5 W |
Package-Case | + 150 C | Technology | - 55 C |
Number-of-Channels | 20 V | Configuration | 39 A |
Transistor-Type | 30 V | Pd-Power-Dissipation | 2.7 mOhms |
Maximum Operating Temperature ! | 36 ns |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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