SI3433CDV-T1-GE3

Name: SI3433CDV-T1-GE3
Rating: 4.5 (10 reviews)

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R

5,934 有效庫存

SI3433CDV-T1-GE3

有效庫存5,934

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R

製造商零件號 # : SI3433CDV-T1-GE3
包裝/封裝: TSOP-6
零件狀態 : Active
製造商: Siliconix
產品分類 : Single FETs, MOSFETs

品質保證

從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。此外，我們還保存這些檢查的詳細記錄，以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。

認證

我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。

運輸與付款

關於運送

我們通常會在幾個工作日內通過可靠的運輸公司（例如 FedEx、SF、UPS 或 DHL）運送訂單。我們還支持其他運輸方式。如果您想詢問具體的運輸細節或費用，請隨時與我們聯繫。

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我們接受多種支付方式，包括VISA、MasterCard、銀聯、西聯、PayPal等渠道。

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關於包裝

在包裝方面，我們的產品均精心包裝在防靜電袋中，以提供ESD防靜電保護。外包裝堅固耐用且閉合牢固。我們支持各種包裝方法，例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。

例子

捲帶式

剪膠帶

管或託盤

SI3433CDV-T1-GE3 數據表

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詳細說明

With advanced features and high-quality construction, the SI3433CDV-T1-GE3 MOSFET offers exceptional performance and durability. Its low on-resistance and high current handling capabilities make it ideal for a wide range of applications, from power management to motor control. The compact TSOP package and automotive qualification standard make it easy to integrate into various designs, while its low power dissipation ensures energy-efficient operation

主要特徵

TrenchFET® power MOSFET

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Product Category !	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	TSOP-6	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	6 A	Rds On - Drain-Source Resistance	38 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	18 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature !	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	3.3 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI3	Brand	Vishay Semiconductors
Configuration	Single	Fall Time	20 ns
Product Type !	MOSFET	Rise Time !	22 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	50 ns
Typical Turn-On Delay Time	20 ns	Part # Aliases	SI3433CDV-T1-BE3 SI3433CDV-GE3
Unit Weight	0.000705 oz

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 SI3433CDV-T1-GE3 PDF 下載

常見問題解答

What is SI3433CDV-T1-GE3?

The SI3433CDV-T1-GE3 is a P-channel MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) designed by Vishay Siliconix. It is suitable for use in power management, load switching, and battery protection applications.

How Does SI3433CDV-T1-GE3 Work?

The SI3433CDV-T1-GE3 works by controlling the flow of current between the source and drain terminals based on the voltage applied to the gate terminal. As a P-channel MOSFET, it is used for switching and controlling the power flow in electronic circuits.

How Many Pins does SI3433CDV-T1-GE3 have and What are the Functions of the Pinout Configuration?

The SI3433CDV-T1-GE3 is housed in a 6-pin PowerPAK SO-8 package. The pinout configuration includes:

GATE: Gate control pin.
DRAIN: Current output pin (connected to the positive side of the load).
SOURCE: Current input pin (connected to the negative side of the load).
GND: Ground pin.

What are the Pros and Cons of SI3433CDV-T1-GE3?

Pros:

Low On-Resistance: Provides efficient current flow with low power dissipation.
Compact Package: The PowerPAK SO-8 package offers a space-efficient design.
High Voltage Rating: Capable of handling high voltage levels, suitable for power management applications.
Reliable Performance: Offers stable and reliable switching characteristics.

Cons:

Drive Voltage: Requires a negative gate-to-source voltage for turn-on, which may require additional level-shifting circuitry in some applications.
Gate Capacitance: The gate capacitance may affect high-frequency performance in certain applications.