SI2318DS-T1-E3
Low power consumption of 750mW with 3.9A at 3V
品質保證
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服務與包裝
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SI2318DS-T1-E3 數據表
價格 (USD)
數量 | 單價 | 總價 |
---|---|---|
1 | $0.251 | $0.25 |
10 | $0.217 | $2.17 |
30 | $0.203 | $6.09 |
100 | $0.186 | $18.60 |
500 | $0.176 | $88.00 |
1000 | $0.172 | $172.00 |
這些價格會受到市場波動的影響,需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFETAPPLICATIONS • Stepper Motors • Load Switch
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主要特徵
- Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available
- TrenchFET® Power MOSFET
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Category ! | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
Id - Continuous Drain Current | 3.9 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 45 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
Qg - Gate Charge | 15 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature ! | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.25 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
Configuration | Single | Fall Time | 15 ns |
Forward Transconductance - Min | 11 S | Height | 1.45 mm |
Length | 2.9 mm | Product Type ! | MOSFET |
Rise Time ! | 12 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 20 ns | Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
Width | 1.6 mm | Part # Aliases | SI2318DS-T1-BE3 SI2318DS-T1 |
Unit Weight | 0.000282 oz |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
常見問題解答
What is SI2318DS-T1-E3?
The SI2318DS-T1-E3 is an N-channel MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) designed by Vishay Siliconix. It is ideal for use in power management, load switching, and battery protection applications due to its low on-resistance and high current-carrying capability.
How Does SI2318DS-T1-E3 Work?
The SI2318DS-T1-E3 operates as a voltage-controlled switch, where the gate voltage controls the flow of current between the drain and source. When the gate-source voltage exceeds the threshold voltage, the MOSFET turns on and allows current to pass through. Its low on-resistance minimizes power losses and enables efficient power management.
How Many Pins does SI2318DS-T1-E3 have and What are the Functions of the Pinout Configuration?
The SI2318DS-T1-E3 is housed in a 3-pin SOT23 surface-mount package. The pinout configuration includes:
- G: Gate terminal for voltage control.
- D: Drain terminal for current input.
- S: Source terminal for current output.
What are the Pros and Cons of SI2318DS-T1-E3?
Pros:
- Low On-Resistance: Enables efficient power management and minimal power losses.
- High Current Capability: Suitable for applications requiring high current-handling capacity.
- Small Package: The SOT23 package is compact and space-efficient.
Cons:
- Gate-Source Voltage Control: Requires careful attention to gate drive voltage levels for proper operation.
- Heat Dissipation: May require thermal management for high-power applications.
Are There Any Equivalents/Alternatives to SI2318DS-T1-E3 for Recommendation?
Alternatives to the SI2318DS-T1-E3 include the AO3400A and AO3401A from Alpha & Omega Semiconductor, as well as the FDN352AP from Fairchild Semiconductor.
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