SI1308EDL-T1-GE3

Name: SI1308EDL-T1-GE3
Rating: 4.5 (10 reviews)

SC70 package containing an N-channel MOSFET rated for 1.4A at 30V

5,352 有效庫存

SI1308EDL-T1-GE3

有效庫存5,352

SC70 package containing an N-channel MOSFET rated for 1.4A at 30V

製造商零件號 # : SI1308EDL-T1-GE3
包裝/封裝: SOT-323-3
零件狀態 : ACTIVE
製造商: Vishay
產品分類 : Single FETs, MOSFETs
RoHS:

品質保證

從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。此外，我們還保存這些檢查的詳細記錄，以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。

認證

我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。

運輸與付款

關於運送

我們通常會在幾個工作日內通過可靠的運輸公司（例如 FedEx、SF、UPS 或 DHL）運送訂單。我們還支持其他運輸方式。如果您想詢問具體的運輸細節或費用，請隨時與我們聯繫。

關於付款

我們接受多種支付方式，包括VISA、MasterCard、銀聯、西聯、PayPal等渠道。

如果您有特定的付款方式或想詢問費率和其他詳細信息，請隨時與我們聯繫。

電匯

Paypal

信用卡

西聯匯款

速匯金

服務與包裝

About After Sales Service

All Parts Extended Quality Guarantee

自發貨之日起 90 天內發起申請。

與我們的工作人員確認退貨或換貨。

保持貨物收到時的原始狀態。

最後請注意，退貨或換貨的資格取決於對退貨商品實際狀況的評估。在完成退貨或換貨流程之前，我們將評估收到的貨物。如果您對退貨或換貨有任何疑問或需要進一步幫助，請隨時通過以下方式聯絡我們： [email protected]

關於包裝

在包裝方面，我們的產品均精心包裝在防靜電袋中，以提供ESD防靜電保護。外包裝堅固耐用且閉合牢固。我們支持各種包裝方法，例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。

例子

捲帶式

剪膠帶

管或託盤

SI1308EDL-T1-GE3 數據表

價格 (USD)

數量	單價	總價
5	$0.092	$0.46
50	$0.081	$4.05
150	$0.075	$11.25
500	$0.071	$35.50
3000	$0.059	$177.00
6000	$0.057	$342.00

這些價格會受到市場波動的影響，需要提交報價才能取得最新價格。

快速報價

請提交詢價 SI1308EDL-T1-GE3 或發送電子郵件給我們： Email: [email protected], 我們將在 12 小時內與您聯繫。

數量^*

聯絡人^*

郵箱^*

公司名稱

還要別的嗎？

詳細說明

The SI1308EDL-T1-GE3 is an N-Channel MOSFET designed for power management applications, with a continuous drain current of 1.4A and a drain source voltage of 30V. Its low on resistance of 0.11ohm at a test voltage of 10V ensures efficient operation, while the power dissipation of 500mW and wide operating temperature range from -50°C to +150°C make it suitable for use in various environmental conditions. The SOT-323 case style with 3 pins allows for easy integration into circuit designs, and the MSL 1 - Unlimited classification ensures an unlimited floor life when stored appropriately. With a maximum gate-source voltage of 30V, the SI1308EDL-T1-GE3 provides an extra level of protection for the device. In summary, this MOSFET delivers high performance and reliability for a wide range of electronic applications

主要特徵

None

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Product Category !	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-323-3	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	1.5 A	Rds On - Drain-Source Resistance	132 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.5 V
Qg - Gate Charge	2.7 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature !	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	400 mW
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI1	Brand	Vishay Semiconductors
Configuration	Single	Fall Time	8 ns
Height	1.1 mm	Length	2.1 mm
Product Type !	MOSFET	Rise Time !	9 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	8 ns
Typical Turn-On Delay Time	2 ns	Width	1.25 mm
Part # Aliases	SI1308EDL-T1-BE3 SI1304BDL-T1-GE3 SI1300BDL-T1-GE3	Unit Weight	0.000212 oz