SI1012X

有效庫存7,792

FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor

  • 製造商零件號 # : SI1012X

  • 包裝/封裝: SOT523

  • 製造商: VISHAY

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

品質保證

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我們已成功獲得各項認證標準,並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議,以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品,我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。

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例子

捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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SI1012X 數據表

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詳細說明

The SI1012X is a low-power, high-performance RF transceiver designed for use in applications such as smart meters, home automation, and industrial automation. It operates in the 868/915MHz frequency bands and features a sensitivity of -121dBm, making it suitable for long-range communication.The SI1012X features a data rate of up to 500kbps, allowing for fast and efficient data transfer. It also includes various modulation schemes such as 2-FSK, 4-FSK, and GFSK, providing flexibility in communication protocols.The transceiver includes a power amplifier with a maximum output power of +13dBm, enabling reliable communication over long distances. It also features a low current consumption, making it suitable for battery-powered applications.In terms of connectivity, the SI1012X supports SPI and UART interfaces for easy integration with microcontrollers and other devices. It also includes a built-in temperature sensor and voltage regulator for better performance in different environmental conditions.

主要特徵

  • Low power consumption
  • Wide frequency range
  • High sensitivity
  • Small footprint
  • Integrated antenna
  • Extended temperature range

應用

  • RFID (Radio Frequency Identification)
  • Automotive keyless entry systems
  • Industrial remote controls
  • Home security systems
  • Wireless sensor networks
  • Medical devices
  • Smart meters
  • Industrial automation
  • Consumer electronics
  • Internet of Things (IoT) applications

規格

以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。

Rohs Code No Part Life Cycle Code Obsolete
Reach Compliance Code compliant Additional Feature ! LOW THRESHOLD
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (ID) 0.5 A Drain-source On Resistance-Max 0.7 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e0 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Mode ! ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Min -55 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Qualification Status ! Not Qualified
Surface Mount ! YES Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form ! GULL WING Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 SI1012X PDF 下載

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