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SD56120M
The SD56120M is characterized by its functionality as a radio frequency MOSFET transistor
SD56120M
The SD56120M is characterized by its functionality as a radio frequency MOSFET transistor
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製造商零件號 # : SD56120M
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包裝/封裝: M252
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製造商: STMicroelectronics
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產品分類 : RF FETs, MOSFETs
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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在包裝方面，我們的產品均精心包裝在防靜電袋中，以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法，例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
SD56120M 數據表
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詳細說明
The SD56120M is an RF Mosfet designed for high-frequency applications, operating at 860MHz with a power rating of 120W. It has a voltage rating of 32V and a current rating of 400mA, making it suitable for a variety of electronic devices requiring power amplification in the radio frequency range. With a gain of 16dB, the SD56120M provides significant amplification capabilities while maintaining good linearity and efficiency. This makes it ideal for use in applications such as RF transmitters, power amplifiers, and RF modulators where high power output and low distortion are crucial. The M252 packaging of the SD56120M ensures easy mounting and thermal management, making it suitable for both prototyping and production environments. Its compact size and high power handling capabilities make it a versatile choice for a wide range of RF applications.
主要特徵
- SD56120M is a powerful brushless motor
- It features a high torque output
- Compact and lightweight design
- Efficient heat dissipation
- Smooth operation and responsive performance
- Designed for use in various RC vehicles and drones
應用
- Surveillance and security systems
- Manufacturing and industrial automation
- Robotic systems
- Smart cities infrastructure
- Traffic management systems
- Medical imaging and diagnosis
- Agricultural automation
- Remote sensing and environmental monitoring
- Automated guided vehicles
- Unmanned aerial vehicles
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Pin Count ! | 4 | Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Case Connection | SOURCE |
| Configuration | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | DS Breakdown Voltage-Min | 65 V |
| Drain Current-Max (Abs) (ID) | 14 A | Drain Current-Max (ID) | 14 A |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Highest Frequency Band | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 Code | R-PDFM-F4 | Number of Elements | 2 |
| Number of Terminals | 4 | Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 200 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | FLANGE MOUNT |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 236 W | Qualification Status ! | Not Qualified |
| Surface Mount ! | YES | Terminal Form ! | FLAT |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| Transistor Application | AMPLIFIER | Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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