RYE002N05TCL

Small Signal Field-Effect Transistor with 0.2A I(D) and 50V
6,970 有效庫存

RYE002N05TCL

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Small Signal Field-Effect Transistor with 0.2A I(D) and 50V

  • 製造商零件號 # : RYE002N05TCL

  • 包裝/封裝: SOT416-3

  • 零件狀態 : ACTIVE

  • 製造商: Rohm Semiconductor

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

  • RoHS:

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例子

捲帶式

捲帶式

剪膠帶

剪膠帶

管或託盤

管或託盤

RYE002N05TCL 數據表

價格 (USD)

數量 單價 總價
10 $0.045 $0.45
100 $0.037 $3.70
300 $0.033 $9.90
3000 $0.029 $87.00
6000 $0.027 $162.00
9000 $0.026 $234.00

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詳細說明

RYE002N05TCL is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) electronic component with an N-channel design, suitable for applications requiring a voltage rating of 50V and a maximum current of 200mA. Its package type is EMT3, which is small and compact, making it ideal for space-constrained designs. This MOSFET is designed to efficiently switch and control electronic signals in various electronic circuits, including power management, voltage regulation, and switching applications. The N-channel design means that it operates using negative voltage levels, making it suitable for use in a wide range of electronic devices. With a low on-resistance and high switching speed, RYE002N05TCL offers excellent performance characteristics. It provides reliable and efficient operation, ensuring minimal power losses and heat dissipation. Additionally, its EMT3 package allows for easy integration into PCB designs, simplifying the manufacturing process.

主要特徵

  • Model: RYE002N05TCL
  • Compact size
  • High efficiency
  • Low on-resistance
  • Low gate charge
  • Low total gate charge
  • Fast switching speed
  • Excellent thermal stability
  • High reliability
  • Designed for automotive applications

應用

  • DC-DC conversion in portable devices
  • Automotive power systems
  • Solar inverters
  • General purpose power supplies
  • Battery charging systems

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Product Category ! MOSFET REACH Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-416-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 50 V
Id - Continuous Drain Current 200 mA Rds On - Drain-Source Resistance 9 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 300 mV
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature ! + 150 C
Pd - Power Dissipation 150 mW Channel Mode Enhancement
Series RYE002N05 Brand ROHM Semiconductor
Configuration Single Fall Time 43 ns
Forward Transconductance - Min 200 mS Height 0.7 mm
Length 1.6 mm Product MOSFETs
Product Type ! MOSFET Rise Time ! 8 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-channel Type Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 17 ns Typical Turn-On Delay Time 5 ns
Width 0.8 mm Part # Aliases RYE002N05
Unit Weight 0.000212 oz

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    4,272 有存貨

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