PIMT1,115
Bipolar Transistors - BJT PIMT1/SOT457/SC-74
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製造商零件號 # : PIMT1,115
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包裝/封裝: TSOP-6
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零件狀態 : ACTIVE
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製造商: Nexperia USA Inc.
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產品分類 : Bipolar Transistor Arrays
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RoHS:
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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PIMT1,115 數據表
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詳細說明
PNP transistor pair in an SC-74 (SOT457) plastic package.
主要特徵
- Simplified assembly process saves time
- Reduced BOM costs and inventory
- Faster time-to-market
- Improved reliability through AEC-Q101 qualification
應用
- Great for all your needs.
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Status | Active | Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA | Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V | Power - Max | 600mW |
Frequency - Transition | 100MHz | Operating Temperature ! | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | TSOP-6 |
Supplier Device Package | 6-TSOP | Base Product Number | PIMT1 |
Manufacturer | Nexperia | Product Category ! | Bipolar Transistors - BJT |
RoHS | Details | Mounting Style | SMD/SMT |
Transistor Polarity | PNP | Configuration | Dual |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 40 V | Collector- Base Voltage VCBO | 50 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 200 mV |
Maximum DC Collector Current | 100 mA | Pd - Power Dissipation | 600 mW |
Gain Bandwidth Product fT | 100 MHz | Minimum Operating Temperature | - 65 C |
Maximum Operating Temperature ! | + 150 C | Brand | Nexperia |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 120 | DC Current Gain hFE Max | 120 at 1 mA, 6 V |
Height | 1 mm | Length | 3.1 mm |
Product Type ! | BJTs - Bipolar Transistors | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | Transistors | Technology | Si |
Width | 1.7 mm | Part # Aliases | 934056662115 |
Unit Weight | 0.000381 oz |
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