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NTS4101P
P-Channel Power MOSFET suited for applications requiring -20V operation, -1.37A current, and 120mΩ resistance
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品質保證
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我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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服務與包裝
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例子
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NTS4101P 數據表
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詳細說明
The NTS4101P is a semiconductor device with a P-channel MOSFET transistor in a TO-263 package. It is designed for high-speed switching applications and has a maximum drain-source voltage of -100V and a continuous drain current of -75A. The NTS4101P has a low on-resistance of 9.5mΩ and a gate threshold voltage of -2.0V, making it suitable for high-efficiency power management systems. It has a total power dissipation of 250W and a junction temperature range of -55°C to 175°C. The device features a compact and robust design, with a low profile and excellent thermal performance for applications that require high power density and reliability. It is RoHS compliant and suitable for automotive, industrial, and consumer electronics applications. The NTS4101P is easy to integrate into existing circuit designs, with standard industry pinout and footprint compatibility. It can be used in power supplies, motor control, LED lighting, and other high-current switching applications. Its high performance, reliability, and efficiency make it a popular choice among engineers and designers.
主要特徵
- Leading -20 V Trench for Low RDS(on)
- -2.5 V Rated for Low Voltage Gate Drive
- SC-70 Surface Mount For Small Footprint (2x2 mm)
應用
- Industrial automation
- Robotics
- Factory automation
- Motor control
- Power management
- Smart grid solutions
- Energy management systems
- Battery management systems
- Smart appliances
- White goods
- Drones
- Electric vehicles
- Renewable energy
- Sensor networks
- Building automation
- Smart cities
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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