NTMFS4833NT1G

MOSFET, Single N-Channel 30V, 191A, 2mΩ, DFN5 5X6, 1.27P (SO 8FL), 1500-REEL
3,111 有效庫存

NTMFS4833NT1G

有效庫存3,111

MOSFET, Single N-Channel 30V, 191A, 2mΩ, DFN5 5X6, 1.27P (SO 8FL), 1500-REEL

  • 製造商零件號 # : NTMFS4833NT1G

  • 包裝/封裝: DFN-6

  • 零件狀態 : End Of Life

  • 製造商: Onsemi

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

品質保證

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捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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NTMFS4833NT1G 數據表
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詳細說明

Power MOSFET30 V, 191 A, Single N−Channel, SO−8 FLFeatures• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses• Low Capacitance to Minimize Driver Losses• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses• These are Pb−Free Devices*Applications• CPU Power Delivery• DC−DC Converters• Low Side Switching

主要特徵

  • Enhanced Reliability with Built-in Overvoltage Protection
  • Simplified Installation with Easy Mounting Options
  • Precise Control for Accurate Performance
  • Low Power Consumption for Energy-Efficient Operation

應用

  • Enhanced power efficiency
  • Robust construction
  • Seamless performance

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Pbfree Code Yes Part Life Cycle Code End Of Life
Part Package Code DFN5 5X6, 1.27P (SO 8FL) Pin Count ! 5
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas) 612.5 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 191 A Drain Current-Max (ID) 16 A
Drain-source On Resistance-Max 0.003 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-F5 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 5 Operating Mode ! ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 125 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 288 A
Qualification Status ! Not Qualified Surface Mount ! YES
Terminal Finish MATTE TIN Terminal Form ! FLAT
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON
Manufacturer onsemi Product Category ! MOSFET
RoHS Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case SO-8FL-4
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V Id - Continuous Drain Current 191 A
Rds On - Drain-Source Resistance 2.3 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.5 V Qg - Gate Charge 58 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature ! + 150 C
Pd - Power Dissipation 1.1 W Channel Mode Enhancement
Series NTMFS4833N Brand onsemi
Fall Time 17 ns Forward Transconductance - Min 30 S
Height 1.05 mm Length 4.9 mm
Product Type ! MOSFET Rise Time ! 34 ns
Factory Pack Quantity 1500 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Type Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 50 ns Typical Turn-On Delay Time 25 ns
Width 5.8 mm Unit Weight 0.003781 oz

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 NTMFS4833NT1G PDF 下載

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