NTD4813NHT4G
MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A DPAK
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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在包裝方面,我們的產品均精心包裝在防靜電袋中,以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法,例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
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例子
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捲帶式
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剪膠帶
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管或託盤
NTD4813NHT4G 數據表
價格 (USD)
數量 | 單價 | 總價 |
---|---|---|
1 | $0.225 | $0.22 |
200 | $0.088 | $17.60 |
500 | $0.084 | $42.00 |
1000 | $0.083 | $83.00 |
這些價格會受到市場波動的影響,需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
MOSFET – Power, Single, N-Channel, DPAK/IPAK 30 V, 63 AFeatures• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses• Low Capacitance to Minimize Driver Losses• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses• NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable• These are Pb−Free DevicesApplications• CPU Power Delivery• DC−DC Converters• Low Side Switching
主要特徵
- Silicon Nitride Passivation for Moisture Resistance
- Low Power Consumption to Reduce Heat Generation
- Wide Operating Temperature Range for Flexibility
- Rugged Construction for High Reliability in Harsh Environments
應用
- Flexible Power Distribution
- Intelligent Load Balancing
- Secure Power Supply
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs | Mfr | onsemi |
Series | - | Package | Tape & Reel (TR) |
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A (Ta), 40A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 11.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 30A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 940 pF @ 12 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) | Operating Temperature ! | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | DPAK |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Base Product Number | NTD4813 |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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