NTHL060N090SC1
N-MOSFET transistor with SiC technology, 900V voltage rating, 32A current capability, 184A maximum drain current, and 110W power dissipationNTHL060N090SC1
N-MOSFET transistor with SiC technology, 900V voltage rating, 32A current capability, 184A maximum drain current, and 110W power dissipation
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製造商零件號 # : NTHL060N090SC1
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包裝/封裝: TO-247-3LD
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製造商: Onsemi
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
品質保證
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捲帶式
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NTHL060N090SC1 數據表
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詳細說明
One of the key highlights of the NTHL060N090SC1 is its impressive specifications. With a maximum output power of 60W and a typical gain of 15 dB, this transistor provides the necessary performance for demanding RF systems. Additionally, its small-signal gain of 14 dB at 2.5 GHz and drain efficiency of 65% showcase its capability to deliver consistent and efficient operation across different frequency ranges
主要特徵
- Fast Rise and Fall Times
- Suitable for Medical Apps
- UL Tested for Safety
- Meets FCC EMI Standards
應用
- Solar Panel
- Battery Charger
- Converters
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Pbfree Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
Factory Lead Time | 77 Weeks | Avalanche Energy Rating (Eas) | 162 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 900 V | Drain Current-Max (Abs) (ID) | 46 A |
Drain Current-Max (ID) | 46 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.084 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Feedback Cap-Max (Crss) | 11 pF |
JEDEC-95 Code | TO-247 | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
JESD-609 Code | e3 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 175 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | FLANGE MOUNT | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 221 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 184 A |
Surface Mount ! | NO | Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - annealed |
Terminal Form ! | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON CARBIDE |
Turn-off Time-Max (toff) | 94 ns | Turn-on Time-Max (ton) | 106 ns |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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