NTE2986
MOSFET Transistor
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製造商零件號 # : NTE2986
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包裝/封裝: SOIC-8
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製造商: NTE
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
品質保證
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運輸與付款
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例子
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剪膠帶
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NTE2986 數據表
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詳細說明
The NTE2986 is a Darlington NPN silicon transistor designed for high-power applications. It is commonly used in amplifier circuits, switching circuits, and various electronic devices that require high current gain and low saturation voltage. The transistor has a maximum collector current of 10A and a maximum collector-emitter voltage of 100V.The NTE2986 features a high DC current gain of 1000 and a low saturation voltage of 1.5V, making it suitable for applications where high power efficiency is required. It has a TO-220 package which allows for easy mounting on a heat sink for improved thermal performance.The transistor has a storage temperature range of -65 to 150 degrees Celsius and an operating temperature range of -65 to 200 degrees Celsius, making it suitable for a wide range of operating environments. It is also RoHS compliant, ensuring that it meets environmental safety standards.
主要特徵
- High voltage, high current NPN transistor
- Designed for use as a horizontal deflection output transistor
- Can also be used in switching applications
- Features a collector current of 8A and collector-emitter voltage of 1500V
- TO-220 package for easy mounting and heat dissipation
- Designed for high power applications
應用
- Audio equipment
- Home appliances
- Instruments and control systems
- Signal processing circuits
- Communication systems
- Industrial equipment
- Power supply systems
- Automotive electronics
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
Additional Feature ! | FAST SWITCHING | Avalanche Energy Rating (Eas) | 110 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE |
DS Breakdown Voltage-Min | 60 V | Drain Current-Max (ID) | 50 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.028 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | FLANGE MOUNT | Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 200 A |
Qualification Status ! | Not Qualified | Surface Mount ! | NO |
Terminal Form ! | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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