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MSC025SMA330B4
TO-247-4 MOSFET with 3300 V voltage rating and 25 mOhm impedance
MSC025SMA330B4
TO-247-4 MOSFET with 3300 V voltage rating and 25 mOhm impedance
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製造商零件號 # : MSC025SMA330B4
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包裝/封裝: TO-247-4
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零件狀態 : ACTIVE
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製造商: Microchip Technology
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
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運輸與付款
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MSC025SMA330B4 數據表
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詳細說明
The MSC025SMA330B4 is a cutting-edge SiC MOSFET device designed to deliver high performance while maximizing system efficiency. With a focus on reducing system weight and size, this innovative product from Microchip is ideal for applications where space is at a premium. Additionally, Microchip's SiC solutions are known for their reliability, ensuring that the performance of the device remains consistent throughout its lifespan. By incorporating this advanced technology into your designs, you can benefit from improved energy efficiency and enhanced overall system performance
主要特徵
- This silicon carbide (SiC) Schottky diode features a low on-state resistance of 1Ω
- It has a high maximum junction temperature of 175°C and can withstand extreme operating conditions
- The MSC025SMA330B4 is designed for use in high-power applications such as DC-DC converters and power supplies
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Package | Tube | Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel | Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 3300 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 104A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 7mA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 410 nC @ 20 V |
| Vgs (Max) | +23V, -10V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8720 pF @ 2640 V |
| Operating Temperature ! | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-4 | Package / Case | TO-247-4 |
| Base Product Number | MSC025 |
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