FDMS7572S

FDMS7572S ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 23A 8-Pin PQFN EP T/R Si - Arrow.com
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FDMS7572S

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FDMS7572S ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 23A 8-Pin PQFN EP T/R Si - Arrow.com

  • 製造商零件號 # : FDMS7572S

  • 包裝/封裝: PQFN EP

  • 零件狀態 : ACTIVE

  • 製造商: Fairchild Semiconductor

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

  • RoHS:

品質保證

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捲帶式

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管或託盤

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詳細說明

With an unwavering focus on efficiency and performance, the FDMS7572S is a game-changer in power conversion applications. By harnessing the latest advancements in silicon and package technologies, this device sets a new standard for minimizing power losses. Its remarkable capabilities are further augmented by the inclusion of a robust monolithic Schottky body diode, ensuring optimal functionality in various scenarios. The FDMS7572S is the ideal choice for engineers and designers seeking top-tier solutions for their projects

主要特徵

  • Fast switching speed and high current handling
  • Low forward voltage drop and high efficiency
  • Rise time: 50 ns, Fall time: 50 ns, Reverse recovery time: 200 ns

應用

  • Great for all occasions
  • Highly versatile option

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Series FDMS7572S Product Status Active
FET Type N-Channel Technology Si
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Ta), 49A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2780 pF @ 13 V
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 46W (Tc) Operating Temperature ! -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Package / Case Power-56-8 Manufacturer onsemi
Product Category ! MOSFET RoHS Details
REACH Details Mounting Style SMD/SMT
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 25 V Id - Continuous Drain Current 23 A
Rds On - Drain-Source Resistance 2.4 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.7 V Qg - Gate Charge 32 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature ! + 150 C
Pd - Power Dissipation 2.5 W Channel Mode Enhancement
Tradename PowerTrench SyncFET Brand onsemi / Fairchild
Configuration Single Fall Time 3 ns
Forward Transconductance - Min 159 S Height 1.1 mm
Length 6 mm Product Type ! MOSFET
Rise Time ! 4 ns Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 27 ns Typical Turn-On Delay Time 10 ns
Width 5 mm Unit Weight 0.003175 oz

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    製造商: Fairchild Semiconductor 包裝/箱: WDFN EP

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