FDMD8530
MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
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製造商零件號 # : FDMD8530
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包裝/封裝: PQFN-8
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零件狀態 : End Of Life
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製造商: ON SEMICONDUCTOR
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產品分類 : FET, MOSFET Arrays
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RoHS:
品質保證
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服務與包裝
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FDMD8530 數據表
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詳細說明
The FDMD8530 is the ultimate power solution for your project. Featuring two 30V N-Channel MOSFETs in a convenient dual power package, this device is perfect for a variety of applications. The high side source and low side drain are internally connected, making it suitable for half/full bridge configurations. Plus, with its low source inductance package and low rDS(on)/Qg FOM silicon, you can trust in its efficiency and reliability
主要特徵
- Ultra-compact Design
- Fault-tolerant Architecture
- High Efficiency Power Conversion
- Multimode Operation Capability
- Silicon Carbide MOSFET Support
- Low EMI Noise Generation
應用
- A versatile option for various needs.
- Perfect for a wide range of uses.
- Great for many different tasks.
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Pbfree Code | Yes | Part Life Cycle Code | End Of Life |
Ihs Manufacturer | ON SEMICONDUCTOR | Package Description | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8 |
Manufacturer Package Code | 483AT | Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN Code | EAR99 | Samacsys Manufacturer | onsemi |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 661 mJ | Case Connection | DRAIN SOURCE |
Configuration | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 30 V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 201 A | Drain Current-Max (ID) | 201 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.00125 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Feedback Cap-Max (Crss) | 310 pF | JEDEC-95 Code | MO-240AA |
JESD-30 Code | R-PDSO-N8 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 2 |
Number of Terminals | 8 | Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 78 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 1047 A | Surface Mount ! | YES |
Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form ! | NO LEAD |
Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
Turn-off Time-Max (toff) | 148 ns | Turn-on Time-Max (ton) | 49 ns |
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