MGSF1N02LT1
High-performance N-Channel MOSFET capable of handling up to 20V and 750mAMGSF1N02LT1
High-performance N-Channel MOSFET capable of handling up to 20V and 750mA
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製造商零件號 # : MGSF1N02LT1
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包裝/封裝: SOT
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製造商: Onsemi
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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捲帶式
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剪膠帶
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MGSF1N02LT1 數據表
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詳細說明
750 mAMPS 20 VOLTS RDS(on) = 90 mΩThese miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. Typical applications are dc−dc converters and power management in portable and battery−powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.Features • Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life • Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space • Pb−Free Packages are Available
主要特徵
- Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life
- Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space
- Pb−Free Packages are Available
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Rohs Code | No | Part Life Cycle Code | Obsolete |
Part Package Code | SOT-23 | Pin Count ! | 3 |
Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 20 V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 0.75 A | Drain Current-Max (ID) | 0.75 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.09 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95 Code | TO-236AB | JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
JESD-609 Code | e0 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 240 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 0.225 W |
Qualification Status ! | Not Qualified | Surface Mount ! | YES |
Terminal Finish | Tin/Lead (Sn/Pb) | Terminal Form ! | GULL WING |
Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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