K4T1G164QF-BCE6
0.45 nanoseconds
品質保證
品質保證
從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外,我們還保存這些檢查的詳細記錄,以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。
![ship1](/img/ship1.png)
![ship2](/img/ship2.png)
![ship3](/img/ship3.png)
![ship4](/img/ship4.png)
![ship5](/img/ship5.png)
![ship6](/img/ship6.png)
認證
我們已成功獲得各項認證標準,並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議,以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品,我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
運輸與付款
關於運送
我們通常會在幾個工作日內通過可靠的運輸公司(例如 FedEx、SF、UPS 或 DHL)運送訂單。 我們還支持其他運輸方式。 如果您想詢問具體的運輸細節或費用,請隨時與我們聯繫。
![questionContent1](/img/questionContent1.png)
![questionContent2](/img/questionContent2.png)
![questionContent3](/img/questionContent3.png)
![questionContent4](/img/questionContent4.png)
![ctc](/img//questionContentctc.png)
![pelican](/img//questionContentpelican.png)
![express](/img//questionContentexpress.png)
![chunghwa post](/img//questionContentchunghwapost.png)
關於付款
我們接受多種支付方式,包括VISA、MasterCard、銀聯、西聯、PayPal等渠道。
如果您有特定的付款方式或想詢問費率和其他詳細信息,請隨時與我們聯繫。
![wire](/img/wire.png)
電匯
![questionContent7](/img/questionContent7.png)
Paypal
![cc](/img/cc.png)
信用卡
![western](/img/western.png)
西聯匯款
![mg](/img/mg.png)
速匯金
服務與包裝
服務與包裝
About After Sales Service
All Parts Extended Quality Guarantee
自發貨之日起 90 天內發起申請。
與我們的工作人員確認退貨或換貨。
保持貨物收到時的原始狀態。
最後請注意,退貨或換貨的資格取決於對退貨商品實際狀況的評估。 在完成退貨或換貨流程之前,我們將評估收到的貨物。 如果您對退貨或換貨有任何疑問或需要進一步幫助,請隨時通過以下方式聯絡我們: [email protected]
關於包裝
在包裝方面,我們的產品均精心包裝在防靜電袋中,以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法,例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
![pg](/img/pg.png)
例子
![捲帶式](/img/Tape and Reel.png)
捲帶式
![剪膠帶](/img/Cut Tape.png)
剪膠帶
![管或託盤](/img/Tube or Tray.png)
管或託盤
K4T1G164QF-BCE6 數據表
![no-price](/img/no-price.jpg)
目前的價格方案正在編制中。請聯絡我們的客戶服務團隊獲取最新的價格資訊。感謝您的理解和支援!
詳細說明
1Gb F-die DDR2 SDRAM 60FBGA/84FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant)The 1Gb DDR2 SDRAM is organized as a 32Mbit x 4 I/Os x 8banks, 16Mbit x 8 I/Os x 8banks or 8Mbit x 16 I/Os x 8 banks device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 800Mb/ sec/pin (DDR2-800) for general applications.The chip is designed to comply with the following key DDR2 SDRAM fea tures such as posted CAS with additive latency, write latency = read latency - 1, Off-Chip Driver(OCD) impedance adjustment and On Die Termination.Key Features• JEDEC standard VDD = 1.8V ± 0.1V Power Supply• VDDQ = 1.8V ± 0.1V• 333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin• 8 Banks• Posted CAS• Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6• Programmable Additive Latenc y: 0, 1, 2, 3, 4, 5• Write Latency(WL) = Read Latency(RL) -1• Burst Length: 4 , 8(Interleave/nibble sequential)• Programmable Sequential / Interleave Burst Mode• Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended data-strobe is an optional feature)• Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment• On Die Termination• Special Function Support - 50ohm ODT - High Temperature Self-Refresh rate enable• Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C
主要特徵
- JEDEC standard VDD = 1.8V ± 0.1V Power Supply
- VDDQ = 1.8V ± 0.1V
- 333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin
- 8 Banks
- Posted CAS
- Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6
- Programmable Additive Latenc y: 0, 1, 2, 3, 4, 5
- Write Latency(WL) = Read Latency(RL) -1
- Burst Length: 4 , 8(Interleave/nibble sequential)
- Programmable Sequential / Interleave Burst Mode
- Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended data-strobe is an optional feature)
- Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment
- On Die Termination
- Special Function Support
- - 50ohm ODT
- - High Temperature Self-Refresh rate enable
- Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C
- All of products are Lead-Free, Halogen-Free, and RoHS compliant
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Obsolete |
Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
HTS Code ! | 8542.32.00.32 | Access Time-Max | 0.45 ns |
Clock Frequency-Max (fCLK) | 333 MHz | I/O Type | COMMON |
Interleaved Burst Length | 4,8 | JESD-30 Code | R-PBGA-B84 |
JESD-609 Code | e1 | Memory Density | 1073741824 bit |
Memory IC Type | DDR2 DRAM | Memory Width | 16 |
Moisture Sensitivity Level | 3 | Number of Terminals | 84 |
Number of Words | 67108864 words | Number of Words Code | 64000000 |
Organization | 64MX16 | Output Characteristics | 3-STATE |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Code | FBGA |
Package Equivalence Code | BGA84,9X15,32 | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | GRID ARRAY, FINE PITCH | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Power Supplies ! | 1.8 V | Qualification Status ! | Not Qualified |
Refresh Cycles | 8192 | Sequential Burst Length | 4,8 |
Standby Current-Max | 0.01 A | Supply Current-Max | 0.165 mA |
Supply Voltage-Nom (Vsup) | 1.8 V | Surface Mount ! | YES |
Technology | CMOS | Terminal Finish | TIN SILVER COPPER |
Terminal Form ! | BALL | Terminal Pitch ! | 0.8 mm |
Terminal Position | BOTTOM | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Specification Comparison
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
推薦零件
-
6,142 有存貨
貨物週期: 3~7 天
最小訂購量為 1
-
Compact and reliable storage option for demanding syste
製造商: Samsung Semiconductor 包裝/箱: TSSOP66
6,906 有存貨
貨物週期: 3~7 天
最小訂購量為 1
-
3,352 有存貨
貨物週期: 3~7 天
最小訂購量為 1
-
3,303 有存貨
貨物週期: 3~7 天
最小訂購量為 1
-
6,208 有存貨
貨物週期: 3~7 天
最小訂購量為 1
-
7,902 有存貨
貨物週期: 3~7 天
最小訂購量為 1
-
This advanced memory solution provides efficient data transfer and processing capabilities for complex computing tasks"
製造商: SAMSUNG 包裝/箱: BGA
4,676 有存貨
貨物週期: 3~7 天
最小訂購量為 1
-
3,335 有存貨
貨物週期: 3~7 天
最小訂購量為 1
-
The K4S561632H-UI75 is a high-speed, low-power DDR SDRAM chip with a capacity of 256MB
製造商: SAMSUNG 包裝/箱: TSOP-54
3,718 有存貨
貨物週期: 3~7 天
最小訂購量為 1
-
The K4D263238K-VC40 is a semiconductor chip primarily used in electronic devices
製造商: SAMSUNG 包裝/箱: BGA-144
6,482 有存貨
貨物週期: 3~7 天
最小訂購量為 1
-
The K4S281632K-UC60 is a 128Mb Synchronous DRAM chip manufactured by Samsung
製造商: SAMSUNG 包裝/箱: TSSOP54
3,286 有存貨
貨物週期: 3~7 天
最小訂購量為 1
-
The K4S510832D-UC75 is a DRAM chip commonly used in electronic devices for data storage
製造商: SAMSUNG 包裝/箱: TSOP-54
5,742 有存貨
貨物週期: 3~7 天
最小訂購量為 1
-
K4N51163QE-ZC25 is a NAND flash memory chip developed by SK Hynix
製造商: SAMSUNG 包裝/箱: FBGA84
7,591 有存貨
貨物週期: 3~7 天
最小訂購量為 1
-
The K4J55323QI-BC14 is a high-speed synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) chip with a capacity of 4 gigabits
製造商: SAMSUNG 包裝/箱: BGA-136
6,607 有存貨
貨物週期: 3~7 天
最小訂購量為 1
-
The K4J10324KE-HC14 chip is a high-density synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) module with a capacity of 512 megabytes
製造商: SAMSUNG 包裝/箱: 136FBGA
5,673 有存貨
貨物週期: 3~7 天
最小訂購量為 1
-
The K4B1G1646G-BCK0 is a dynamic random-access memory (DRAM) chip produced by Samsung
製造商: SAMSUNG 包裝/箱: FBGA-96
3,677 有存貨
貨物週期: 3~7 天
最小訂購量為 1